局放試驗儀產品特性第1章 局放(fang)理論概述(shu)

在開始我(wo)(wo)們(men)(men)(men)的實驗以前，我(wo)(wo)們(men)(men)(men)首先應該(gai)對局(ju)部(bu)放電(dian)(dian)有(you)個初步的了解，為什(shen)么(me)要測量局(ju)部(bu)放電(dian)(dian)？局(ju)部(bu)放電(dian)(dian)有(you)什(shen)么(me)危害？怎樣準確(que)測量局(ju)部(bu)放電(dian)(dian)？有(you)了上(shang)述理(li)論基(ji)礎可以幫助我(wo)(wo)們(men)(men)(men)理(li)解測量過程(cheng)中(zhong)的正確(que)操(cao)作(zuo)。

局放試驗儀產品特性一、局部放電的定義及產生原因

在(zai)(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)場作用下(xia)，絕緣系統(tong)中只有(you)部(bu)(bu)(bu)分(fen)區(qu)域發(fa)生(sheng)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)，但(dan)尚未(wei)擊穿(chuan)，（即在(zai)(zai)(zai)(zai)施加電(dian)(dian)壓的(de)(de)(de)導(dao)體(ti)之間沒有(you)擊穿(chuan)）。這種(zhong)現象稱之為(wei)局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)。局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)可能發(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)導(dao)體(ti)邊上，也可能發(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)絕緣體(ti)的(de)(de)(de)表面(mian)上和內(nei)部(bu)(bu)(bu)，發(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)表面(mian)的(de)(de)(de)稱為(wei)表面(mian)局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)。發(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)內(nei)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)稱為(wei)內(nei)部(bu)(bu)(bu)局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)。而對于被(bei)氣體(ti)包圍的(de)(de)(de)導(dao)體(ti)附近發(fa)生(sheng)的(de)(de)(de)局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)，稱之為(wei)電(dian)(dian)暈。由此 總結(jie)一下(xia)局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)的(de)(de)(de)定義，指部(bu)(bu)(bu)分(fen)的(de)(de)(de)橋接導(dao)體(ti)間絕緣的(de)(de)(de)一種(zhong)電(dian)(dian)氣放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)，局(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)產生(sheng)原(yuan)因主要(yao)有(you)以下(xia)幾種(zhong)：

電場不均勻。

電介質不均勻。

制(zhi)造過程的(de)氣泡或雜質。*經常發生(sheng)放電的(de)原(yuan)因是(shi)絕(jue)緣(yuan)體內部或表面存在(zai)氣泡；其(qi)次(ci)是(shi)有些設備的(de)運行過程中(zhong)會發生(sheng)熱脹(zhang)冷縮,不同(tong)材料特(te)別是導體與(yu)介質(zhi)的(de)膨脹(zhang)系數(shu)不同(tong)，也會逐漸出(chu)現裂縫；再有一些是在(zai)運行過程中(zhong)有機高(gao)分子的(de)老化，分解出(chu)各種揮發物(wu)，在(zai)高(gao)場強(qiang)的(de)作用下，電荷不斷地由導體進入介質(zhi)中(zhong)， 在(zai)注入點(dian)上就(jiu)會使介質(zhi)氣化。

局放試驗儀產品特性二 、局(ju)部放(fang)電(dian)的模擬電(dian)路及放(fang)電(dian)過程(cheng)簡介

介質內(nei)部含(han)有(you)氣泡，在交流電(dian)壓下產生(sheng)的內(nei)部放電(dian)特性(xing)可由圖1—1的模擬電路(a b c等值電路)予以表示；其(qi)中Cc是模(mo)擬介(jie)質中產生放電間隙(xi)(如氣泡)的(de)電容(rong)；Cb代表與Cc串聯部分介質的合成電容；Ca表(biao)示(shi)其余部分介質的電容。

I——介質有缺陷(氣泡)的部份(虛線表(biao)示)

II——介質無(wu)缺陷(xian)部份

圖1—1  表示具(ju)有內(nei)部放電的模擬電路

圖1—1中以并聯有—對火花間隙的電容Cc來(lai)模擬(ni)產(chan)生局部放電的內部氣泡(pao)。圖1—2表(biao)示了在交流電壓下局部放(fang)電的發生過程(cheng)。

U(t)一一外施交流電壓(ya)

Uc(t)一(yi)一(yi)氣泡不擊穿(chuan)時在(zai)氣泡上的電壓

Uc’(t)一(yi)一(yi)有局(ju)部放電時氣泡上的實際電壓

Vc一一氣(qi)泡的擊穿電壓

Y r一(yi)一(yi)氣(qi)泡的殘余電壓   

Us—局(ju)部放電起始電壓(瞬(shun)時(shi)值(zhi))

Ur一(yi)一(yi)與氣泡殘余電壓v r對應的(de)外施電(dian)壓

Ir一一氣泡中的放電(dian)電(dian)流(liu)

電極間(jian)總電容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電(dian)極間(jian)施加交流電(dian)壓 u(t)時，氣(qi)泡電容Cc上對(dui)應的電壓為Uc(t)。如圖2—1所示，此時的Uc(t)所(suo)代表的是氣泡理想狀(zhuang)態下的電(dian)壓(ya)（既氣泡不發生(sheng)擊穿）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外(wai)施(shi)電壓U(t)上(shang)升時(shi)，氣泡上(shang)電壓Uc(t)也上升，當(dang)U(t)上升(sheng)到Us時，氣泡上電壓Uc達到氣泡(pao)擊穿電壓,氣(qi)(qi)泡(pao)(pao)擊穿，產生大量的正(zheng)、負離子，在(zai)電(dian)(dian)場(chang)(chang)作用下(xia)各自遷移到(dao)氣(qi)(qi)泡(pao)(pao)上下(xia)壁，形成空(kong)間電(dian)(dian)菏，建立(li)反(fan)電(dian)(dian)場(chang)(chang)，削弱了氣(qi)(qi)泡(pao)(pao)內的總電(dian)(dian)場(chang)(chang)強度，使放電(dian)(dian)熄(xi)滅，氣(qi)(qi)泡(pao)(pao)又恢復絕緣性能(neng)。這(zhe)樣的一次放電(dian)(dian)持(chi)續時(shi)間是極短暫(zan)的，對一般的空(kong)氣(qi)(qi)氣(qi)(qi)泡(pao)(pao)來說，大約只有幾個毫(hao)微秒(miao)(10的(de)負8次方(fang)到10的負9次(ci)方秒)。所以(yi)電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到(dao)Vr，Vr是(shi)殘(can)余電壓；而氣泡上電壓Uc‘(t)將隨U(t)的增大而繼續由Vr升高到Vc時(shi)，氣泡(pao)再(zai)—次擊穿，發(fa)生又—次局部放電，但(dan)此時相(xiang)應的(de)外施電壓比Us小，為(Us-Ur)，這是(shi)因為氣(qi)泡(pao)上(shang)有殘余電壓Vr的(de)內電(dian)場作用的(de)結果。Vr是與氣泡(pao)殘余電壓(ya)Yr相應的(de)外施(shi)電(dian)壓(ya)(ya)，如此(ci)反復上述過程，即外施(shi)電(dian)壓(ya)(ya)每增加(Us-Ur)，就(jiu)產生一次局部放電．直(zhi)到前—次放電熄滅后，Uc’(t)上升到峰值時共增(zeng)量不足以達Vc(相當于外施電壓的增量(liang)Δ比(Us-Ur)小)為止。

此后，隨著外施(shi)電壓U(t)經過峰(feng)值(zhi)Um后(hou)減(jian)小，外(wai)(wai)施電(dian)壓(ya)在氣(qi)泡中建立反方向電(dian)場(chang)，由于(yu)氣(qi)泡中殘(can)存的內電(dian)場(chang)電(dian)壓(ya)方向與外(wai)(wai)電(dian)場(chang)方向相(xiang)反，故(gu)外(wai)(wai)施電(dian)壓(ya)須(xu)經(Us+Ur))的電(dian)(dian)壓變化，才(cai)能使氣泡上的電(dian)(dian)壓達到擊(ji)穿電(dian)(dian)壓Vc，(假定正、負方(fang)向擊(ji)穿電壓(ya)Vc相等(deng))，產生(sheng)一次局部放電。放電很快熄滅，氣(qi)泡(pao)中電壓瞬時降到殘余(yu)電壓Vr(也假定正(zheng)、負(fu)方(fang)向相同)。外施電壓繼(ji)續下(xia)降，當再下(xia)降(Us-Ur)時(shi)，氣泡電壓就又(you)達(da)到Vc從而又產生一次局部(bu)放(fang)電(dian)。如此(ci)重復上述過程，直到外施電(dian)壓升到反向蜂值一Um的增量Δ不(bu)足以(yi)達到(Us-Ur)為止。外施電壓經(jing)過(guo)一Um峰值后，氣(qi)泡(pao)(pao)上的外(wai)(wai)電(dian)場方向(xiang)又(you)變(bian)為正(zheng)方向(xiang)，與(yu)氣(qi)泡(pao)(pao)殘余電(dian)壓方向(xiang)相反，故(gu)外(wai)(wai)施電(dian)壓又(you)須上升(Us+Ur)產生第—次放電，熄(xi)滅后(hou)，每經過Us—Ur的電壓上升(sheng)就產(chan)生一次放電，重復前面(mian)所(suo)介紹的過(guo)程。如圖(tu)1—2所示。

由以上局(ju)部放(fang)(fang)電(dian)過程分析(xi)，同(tong)(tong)(tong)時根據局(ju)部放(fang)(fang)電(dian)的(de)特點（同(tong)(tong)(tong)種試品，同(tong)(tong)(tong)樣的(de)環(huan)境下，電(dian)壓(ya)越高局(ju)部放(fang)(fang)電(dian)量(liang)越大(da)）可以知道：一(yi)般情況下，同(tong)(tong)(tong)一(yi)試品在一(yi)、三(san)(san)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)的(de)局(ju)部放(fang)(fang)電(dian)量(liang)大(da)于二、四(si)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)的(de)局(ju)部放(fang)(fang)電(dian)量(liang)。那(nei)是因為它們是電(dian)壓(ya)的(de)上升沿(yan)。（第三(san)(san)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)是電(dian)壓(ya)負的(de)上升沿(yan)）。這就是我(wo)們測量(liang)中為什么把時間窗刻意擺在一(yi)、三(san)(san)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)的(de)原(yuan)因。

局放試驗儀產品特性三、局部放電的測量原理：

局放試驗儀產品特性四、局(ju)部放電的(de)表征參數(shu)

局(ju)(ju)部放(fang)電(dian)是比較復雜(za)的(de)物(wu)理(li)現象，必(bi)須通過多種(zhong)表征參(can)(can)數(shu)才(cai)能全方位的(de)描(miao)繪其狀態，同(tong)時局(ju)(ju)部放(fang)電(dian)對絕緣破壞的(de)機理(li)也(ye)是很復雜(za)的(de)，也(ye)需要通過不(bu)同(tong)的(de)參(can)(can)數(shu)來(lai)評定它對絕緣的(de)損(sun)害，目(mu)前我們只關心兩個基本參(can)(can)數(shu)。

視在放(fang)電(dian)電(dian)荷——在絕緣體中發(fa)生(sheng)局部放電(dian)(dian)時，絕緣體上(shang)施加電(dian)(dian)壓的兩端出現的脈動電(dian)(dian)荷稱之為視在放電(dian)(dian)電(dian)(dian)荷，單位用皮庫（pc）表(biao)示(shi)，通常以穩定出現的視在放(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)荷(he)作為該(gai)試品的放(fang)電(dian)(dian)量。

放電重復(fu)率——在測量(liang)時(shi)間(jian)內每秒中(zhong)出(chu)現的(de)放(fang)電次(ci)數的(de)平均(jun)值稱(cheng)為(wei)放(fang)電重復率，單(dan)位為(wei)次(ci)/秒，放電(dian)重復率越(yue)(yue)高(gao)，對絕緣(yuan)的損害越(yue)(yue)大。

產品特性：

    ◆ 純程(cheng)控工作(zuo)方(fang)式，局部(bu)放電測(ce)量、分析更方(fang)便。

    ◆ 完備(bei)的(de)全漢化軟(ruan)件，漢字提示(shi)操作(zuo)，簡單易(yi)學。

    ◆ 任意存儲(chu)、打印(yin)局(ju)放圖(tu)形及數據，自動生成實(shi)驗報告(gao)。

    ◆ 自(zi)由選擇橢圓、直線顯(xian)示方式(shi)，可靜(jing)態對一周(zhou)波試驗(yan)電壓(ya)的局(ju)部(bu)放電脈沖詳細測量(liang)、觀測、分(fen)析。

    ◆ 穎的二維(wei)（Q-φ,N-φ）和三(san)維（Q-φ-T,N-Q-φ）局部(bu)放(fang)電圖譜顯示(shi)，令人(ren)耳(er)目一新(xin)。信息量更大，區分(fen)局放(fang)脈沖和干擾脈沖更容易。

    ◆ *的條形色(se)柱及數字指示局部放電脈沖峰值。

    ◆ *一格的數(shu)字(zi)開窗技術，可(ke)避免干擾對測量的影響。

    ◆ 任(ren)意相(xiang)位(wei)開窗(chuang)，單窗(chuang)、雙窗(chuang)任(ren)選，橢(tuo)圓360度(du)旋轉。

    ◆ 雙通道測(ce)量及(ji)數字差(cha)分技術，可(ke)靈活組成脈沖極性鑒別(bie)或平衡測(ce)量回路，有(you)效(xiao)的抑(yi)制干擾脈沖信號(hao)。并同(tong)時測(ce)量兩(liang)個(ge)試品或一個(ge)試品兩(liang)個(ge)測(ce)點的局部(bu)放(fang)電(dian)信號(hao)，可(ke)方便地分析局放(fang)信號(hao)的來源。

我們生活中日常用的電，前期有很大的工程在里面，而這些工程項目的完成也需很多的儀器輔助完成，節約時間，減少人力成本，就比如常見的局放試驗儀試驗，試驗單位這里就需要用到局放試驗儀，很多單位不一定 有這樣的儀器儲備，這時候就需要尋找國內真正做局放試驗儀設備的廠家采購，要想找到國內真正做局放試驗儀設備的廠家是需要費一番周折的。那么，在國內真正做局放試驗儀的廠家還是比較分散的，揚州萬寶電氣極其注重局放試驗儀使用時的體驗度和功能上的要求，追求質量的保證，嚴格要求產品質量得到保障，適應年限達到保修期，維修時方便快捷。

所以，很多客戶找國內真正做局放試驗儀設備的廠家大家都會想到揚州萬寶，口碑一直都很不錯，生產車間隨時恭候考察，做到真的信任和溝通。