**章(zhang) WBTCD-9308智能型局放儀局(ju)放(fang)理論概述(shu)

在開始我們(men)的實驗以前，我們(men)首先(xian)應該對局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)有(you)個初步(bu)的了解，為什么要測量局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)？局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)有(you)什么危(wei)害？怎樣準(zhun)確測量局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)？有(you)了上述理論基(ji)礎可以幫助我們(men)理解測量過程中的正確操作。

一、局部放電的定義及產生原因

在(zai)(zai)電(dian)(dian)場(chang)作(zuo)用下(xia)，絕(jue)緣(yuan)系統(tong)中(zhong)只有(you)部(bu)(bu)(bu)(bu)分區域(yu)發(fa)生(sheng)(sheng)放電(dian)(dian)，但尚未擊穿，（即在(zai)(zai)施加電(dian)(dian)壓(ya)的(de)導體(ti)之(zhi)(zhi)間(jian)沒(mei)有(you)擊穿）。這種現象稱之(zhi)(zhi)為局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)。局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)可能發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)導體(ti)邊上，也可能發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)絕(jue)緣(yuan)體(ti)的(de)表(biao)面上和內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)，發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)表(biao)面的(de)稱為表(biao)面局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)。發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)稱為內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)。而對于被氣體(ti)包(bao)圍的(de)導體(ti)附近發(fa)生(sheng)(sheng)的(de)局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)，稱之(zhi)(zhi)為電(dian)(dian)暈(yun)。由(you)此 總結一(yi)下(xia)局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)的(de)定義(yi)，指部(bu)(bu)(bu)(bu)分的(de)橋接導體(ti)間(jian)絕(jue)緣(yuan)的(de)一(yi)種電(dian)(dian)氣放電(dian)(dian)，局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放電(dian)(dian)產(chan)生(sheng)(sheng)原因主要有(you)以下(xia)幾(ji)種：

電場不(bu)均勻。

電介(jie)質不均勻。

制造過程(cheng)的氣泡或雜質。*經常發生放電(dian)的原因(yin)是絕緣體內部或表面存在氣泡；其(qi)次是有些設(she)備的運(yun)行(xing)過程(cheng)中(zhong)會發生熱(re)脹冷縮,不(bu)同材料(liao)特(te)別是導體與介(jie)質的膨脹(zhang)系數不(bu)同，也會逐漸出現裂縫；再有一些(xie)是在運行(xing)過程中(zhong)(zhong)有機高分子的老化(hua)，分解出各種(zhong)揮發物(wu)，在高場(chang)強的作用下，電荷不(bu)斷(duan)地由導體進(jin)入(ru)介(jie)質中(zhong)(zhong)， 在注入(ru)點上(shang)就會使介(jie)質氣化(hua)。

二(er) 、WBTCD-9308智能型(xing)局放儀(yi)局部放電的模(mo)擬電路及放電過程(cheng)簡(jian)介(jie)

介質內部(bu)含有(you)氣(qi)泡，在交流電(dian)(dian)壓下產生的內部(bu)放電(dian)(dian)特性可(ke)由(you)圖1—1的模(mo)擬電路(a b c等(deng)值電路)予以表(biao)示(shi)；其中(zhong)Cc是(shi)模擬(ni)介質中產生放電間(jian)隙(xi)(如氣泡)的電容；Cb代表與Cc串聯部分介質的合(he)成電容；Ca表示其余部(bu)分介質的電容。

I——介質有缺陷(氣泡)的部份(虛線表(biao)示)

II——介質無缺陷部份

圖(tu)1—1  表示具有內(nei)部(bu)放電(dian)的(de)模擬電(dian)路

圖1—1中以并(bing)聯(lian)有(you)—對火花間(jian)隙的電(dian)容Cc來模擬產生(sheng)局部放電的內(nei)部氣(qi)泡。圖1—2表示了在交流電壓下局部(bu)放電的發(fa)生過程。

U(t)一一外施交流電(dian)壓

Uc(t)一(yi)一(yi)氣(qi)泡不擊穿時在氣(qi)泡上的電壓

Uc’(t)一一有局部放電時氣泡上的實際電壓

Vc一一氣泡的(de)擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)

Y r一(yi)一(yi)氣泡的殘余(yu)電壓(ya)   

Us—局部放電(dian)起始電(dian)壓(瞬時值)

Ur一一與氣泡殘余電壓(ya)v r對應(ying)的(de)外施電壓(ya)

Ir一(yi)一(yi)氣泡中的放(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)流(liu)

電(dian)極間(jian)總電(dian)容(rong)Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極間施加交流電壓 u(t)時，氣泡電容Cc上對應的電(dian)壓為Uc(t)。如圖2—1所示，此時的Uc(t)所(suo)代表的(de)是氣泡理想(xiang)狀態下的(de)電壓（既氣泡不發生擊穿）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電壓U(t)上升時，氣(qi)泡上電壓(ya)Uc(t)也上升，當U(t)上升到Us時，氣泡上電壓Uc達到氣泡擊穿電壓,氣(qi)(qi)(qi)(qi)泡(pao)擊穿，產生大(da)量的(de)正、負離子(zi)，在電(dian)場(chang)作用(yong)下(xia)各自遷移(yi)到氣(qi)(qi)(qi)(qi)泡(pao)上下(xia)壁(bi)，形成(cheng)空間電(dian)菏(he)，建立(li)反電(dian)場(chang)，削弱了氣(qi)(qi)(qi)(qi)泡(pao)內的(de)總電(dian)場(chang)強度，使放電(dian)熄(xi)滅，氣(qi)(qi)(qi)(qi)泡(pao)又恢復絕(jue)緣(yuan)性能(neng)。這(zhe)樣的(de)一次(ci)放電(dian)持續時間是極短暫的(de)，對一般的(de)空氣(qi)(qi)(qi)(qi)氣(qi)(qi)(qi)(qi)泡(pao)來說(shuo)，大(da)約只有幾個毫微秒(miao)(10的(de)負8次(ci)方到10的(de)負9次方秒)。所以電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到Vr，Vr是殘(can)余(yu)電壓(ya)；而氣泡上電壓(ya)Uc‘(t)將(jiang)隨U(t)的增大而繼續由Vr升(sheng)高到Vc時，氣(qi)泡再—次擊穿，發(fa)生又—次局部放電(dian)，但此時相應(ying)的外施電(dian)壓比Us小，為(Us-Ur)，這是因為氣泡(pao)上有殘余(yu)電壓(ya)Vr的(de)內電(dian)場作用的(de)結(jie)果。Vr是與氣(qi)泡殘余電壓(ya)Yr相應的外(wai)施(shi)電(dian)壓(ya)，如此(ci)反復上(shang)述過程，即外(wai)施(shi)電(dian)壓(ya)每增加(Us-Ur)，就產生一(yi)次局部放(fang)電．直(zhi)到前(qian)—次放電熄滅后，Uc’(t)上升到(dao)峰值(zhi)時共(gong)增量不足以(yi)達Vc(相(xiang)當于外施電(dian)壓(ya)的增量Δ比(bi)(Us-Ur)小)為止(zhi)。

此后，隨(sui)著(zhu)外施(shi)電(dian)壓U(t)經過峰值(zhi)Um后(hou)減小，外(wai)施(shi)電壓(ya)在氣(qi)泡(pao)(pao)中建立反方向電場(chang)(chang)，由(you)于氣(qi)泡(pao)(pao)中殘(can)存的內電場(chang)(chang)電壓(ya)方向與外(wai)電場(chang)(chang)方向相反，故外(wai)施(shi)電壓(ya)須(xu)經(Us+Ur))的電(dian)壓(ya)(ya)變化，才能使氣泡上的電(dian)壓(ya)(ya)達到擊穿電(dian)壓(ya)(ya)Vc，(假定正、負方向擊穿(chuan)電壓Vc相等)，產(chan)生一次(ci)局部放電。放電很(hen)快熄(xi)滅，氣泡中(zhong)電壓瞬時降到殘(can)余(yu)電壓Vr(也假定正、負方向(xiang)相(xiang)同(tong))。外施電壓繼續下降(jiang)，當再下降(jiang)(Us-Ur)時(shi)，氣泡(pao)電壓就又達到Vc從而又產生一次局部(bu)放電。如此重復上述過(guo)程，直(zhi)到外施電壓升到反向蜂值一Um的增(zeng)量(liang)Δ不足以達(da)到(Us-Ur)為(wei)止。外施電壓經過一Um峰值后，氣泡(pao)上(shang)的(de)外電場方(fang)向又變(bian)為正方(fang)向，與氣泡(pao)殘余電壓(ya)方(fang)向相(xiang)反，故外施電壓(ya)又須上(shang)升(Us+Ur)產(chan)生(sheng)第—次放電，熄滅后，每(mei)經過Us—Ur的(de)電(dian)壓上升就(jiu)產生一次放電(dian)，重復(fu)前(qian)面所介紹的(de)過程。如圖(tu)1—2所示(shi)。

由以(yi)上局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)過程分析，同時(shi)根據局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)特點（同種試品(pin)，同樣(yang)的(de)(de)(de)環境(jing)下，電(dian)(dian)(dian)壓越高局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)量(liang)(liang)越大）可(ke)以(yi)知(zhi)道：一般情況下，同一試品(pin)在(zai)一、三(san)象(xiang)限(xian)(xian)的(de)(de)(de)局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)量(liang)(liang)大于二、四象(xiang)限(xian)(xian)的(de)(de)(de)局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)量(liang)(liang)。那是(shi)(shi)因(yin)為(wei)它們是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)壓的(de)(de)(de)上升(sheng)沿。（第(di)三(san)象(xiang)限(xian)(xian)是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)壓負的(de)(de)(de)上升(sheng)沿）。這就是(shi)(shi)我們測量(liang)(liang)中為(wei)什么把(ba)時(shi)間(jian)窗刻意擺在(zai)一、三(san)象(xiang)限(xian)(xian)的(de)(de)(de)原因(yin)。

三、WBTCD-9308智能(neng)型局放(fang)儀局部放(fang)電的測量原理：

四、WBTCD-9308智(zhi)能型局放(fang)儀局部(bu)放電的表征參數

局部放(fang)電是比較(jiao)復雜(za)的(de)(de)物理現(xian)象(xiang)，必須通過多種表征參(can)數(shu)才(cai)能(neng)**的(de)(de)描(miao)繪其(qi)狀態，同時局部放(fang)電對(dui)絕(jue)緣破壞的(de)(de)機理也是很復雜(za)的(de)(de)，也需要通過不同的(de)(de)參(can)數(shu)來(lai)評(ping)定它對(dui)絕(jue)緣的(de)(de)損害，目前我(wo)們只關心兩個基(ji)本參(can)數(shu)。

視在(zai)放(fang)電(dian)電(dian)荷——在絕(jue)緣體中發生局部放(fang)(fang)電時，絕(jue)緣體上施加電壓的兩端出現(xian)的脈(mo)動(dong)電荷稱(cheng)之(zhi)為(wei)視在放(fang)(fang)電電荷，單位(wei)用皮庫(ku)（pc）表示，通常(chang)以(yi)穩定出現的(de)*大視(shi)在放電電荷作為該試品的(de)放電量。

放(fang)電重復率——在測量(liang)時間內每(mei)秒中出現(xian)的(de)放(fang)電次數的(de)平均(jun)值稱(cheng)為放(fang)電重復率，單位為次/秒，放(fang)電重復(fu)率越高，對絕緣的損害越大。

**章  局放測試(shi)的試(shi)驗系統接線。

在了解了局部(bu)(bu)放電的(de)(de)基本理論(lun)之(zhi)后(hou)，在本章我(wo)們的(de)(de)重(zhong)點轉(zhuan)向(xiang)實際操作，我(wo)們先介紹(shao)局部(bu)(bu)放電測試中常用的(de)(de)三(san)種接(jie)法，隨后(hou)我(wo)們再介紹(shao)整個系統(tong)的(de)(de)接(jie)線(xian)電路(lu)，*后(hou)我(wo)們再分別介紹(shao)幾(ji)種典型的(de)(de)試品的(de)(de)試驗(yan)線(xian)路(lu)。

一、局放(fang)電測試電路的三種基本接法(fa)及優缺點。

（1）   標準試驗電路，又稱并(bing)聯法。適合于必須接(jie)地的試品。其缺點是高壓引線對地雜散電(dian)容(rong)并聯在 CX上，會降低測(ce)試靈敏度。

（2）接法的串聯法，其(qi)要求試(shi)品低壓端對地浮置。其(qi)優(you)點是(shi)變壓器入口電容(rong)(rong)、高壓線對地雜散電容(rong)(rong)與(yu)耦(ou)合(he)電容(rong)(rong)CK并聯，有(you)利于提高試(shi)驗靈敏度。缺(que)點是(shi)試(shi)樣(yang)損(sun)(sun)壞時會損(sun)(sun)壞輸入單(dan)元。

（3）平衡法(fa)試(shi)驗電路：要求兩個試(shi)品相接(jie)近，至少電容(rong)(rong)量(liang)為同一數量(liang)級其優(you)點是外干擾強烈(lie)的(de)情況下，可取得較好抑制(zhi)干擾的(de)效(xiao)果，并(bing)可消(xiao)除變壓器雜散(san)電容(rong)(rong)的(de)影響，而且(qie)可做大電容(rong)(rong)試(shi)驗。缺(que)點是須(xu)要兩個相似(si)的(de)試(shi)品，且(qie)當產生(sheng)放電時(shi)，需設法(fa)判別(bie)是哪個試(shi)品放電。

值得提出的(de)是：由于(yu)現(xian)場(chang)試(shi)驗條件的(de)限制（找到兩個相似的(de)試(shi)品且要(yao)保證一個試(shi)品無放電不(bu)太容易），所以在(zai)現(xian)場(chang)平衡法比較(jiao)難實現(xian)，另外，由于采(cai)用(yong)串聯(lian)法(fa)(fa)時(shi)，如果試品(pin)擊穿(chuan)，將(jiang)會對設(she)備造成比較大的(de)損害，所以出(chu)于對設(she)備保護(hu)的(de)想法(fa)(fa)，在現場試驗時(shi)一般采(cai)用(yong)并聯(lian)法(fa)(fa)。

二、WBTCD-9308智能型局放儀采(cai)用并聯法的整個(ge)系統的接線原理圖。

該(gai)系統(tong)(tong)采用脈沖電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)法(fa)檢(jian)測(ce)(ce)(ce)高(gao)壓(ya)(ya)試品的(de)局(ju)(ju)部(bu)放電(dian)(dian)(dian)(dian)量(liang)，由控制(zhi)臺控制(zhi)調壓(ya)(ya)器(qi)和(he)變壓(ya)(ya)器(qi)在試品的(de)高(gao)壓(ya)(ya)端(duan)產生測(ce)(ce)(ce)試局(ju)(ju)放所需的(de)預加電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)和(he)測(ce)(ce)(ce)試電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)，通(tong)過無(wu)局(ju)(ju)放藕(ou)合電(dian)(dian)(dian)(dian)容器(qi)和(he)檢(jian)測(ce)(ce)(ce)阻抗將(jiang)局(ju)(ju)部(bu)放電(dian)(dian)(dian)(dian)信號取出并(bing)送至局(ju)(ju)部(bu)放電(dian)(dian)(dian)(dian)檢(jian)測(ce)(ce)(ce)儀顯示并(bing)判斷和(he)測(ce)(ce)(ce)量(liang)。系統(tong)(tong)中的(de)高(gao)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻為(wei)了防止(zhi)在測(ce)(ce)(ce)試過程中試品擊穿而(er)損壞(huai)其他(ta)設(she)備，兩(liang)個電(dian)(dian)(dian)(dian)源濾波器(qi)是將(jiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)干(gan)擾(rao)和(he)整個測(ce)(ce)(ce)試系統(tong)(tong)分開(kai)，降低整個測(ce)(ce)(ce)試系統(tong)(tong)的(de)背景干(gan)擾(rao)。

根據上述(shu)原(yuan)理圖可以看出(chu)，局(ju)(ju)部(bu)放電測試的靈敏度和準確(que)度和整(zheng)個系(xi)統(tong)密切相(xiang)關，要想順(shun)利(li)和準確(que)的進行局(ju)(ju)部(bu)放電測試，就(jiu)必須將整(zheng)個系(xi)統(tong)考濾周到，包括系(xi)統(tong)的參數選取和連接方(fang)式。另外，在現場試驗時，由(you)于是驗證(zheng)性(xing)試驗，高壓限(xian)流電阻(zu)可以省掉。

三、幾種典型(xing)試品的(de)接線原(yuan)理圖。

（1）電流互感器(qi)的局(ju)放測(ce)試接線原理圖(tu)

（2）電(dian)壓互感(gan)器的(de)局放測試接線原理(li)圖(tu)

A．工頻(pin)加壓方式(shi)接線原理圖

為了防止電壓(ya)互(hu)(hu)感(gan)器(qi)在工頻(pin)電壓(ya)下產生(sheng)大的(de)勵(li)磁電流(liu)而損(sun)壞，高(gao)壓(ya)電壓(ya)互(hu)(hu)感(gan)器(qi)一般采取自激勵(li)的(de)加壓(ya)方式。在電壓(ya)互(hu)(hu)感(gan)器(qi)的(de)低(di)壓(ya)側加一倍(bei)頻(pin)電源(yuan)，在電壓(ya)互(hu)(hu)感(gan)器(qi)的(de)高(gao)壓(ya)端(duan)感(gan)應出高(gao)壓(ya)來進(jin)行局部放電實驗。這(zhe)就是通(tong)常所說的(de)三倍(bei)頻(pin)實驗。其(qi)接(jie)線原(yuan)理(li)圖如下：

(3)高壓電容(rong)器.絕緣子的(de)局放測試接(jie)線原理(li)圖(tu)

(4) 發電機的局放測試接線原理圖

（5）變壓(ya)器的局部放(fang)電測(ce)試接(jie)線原理圖

我們僅僅是在原理性的(de)(de)總(zong)結了幾種(zhong)典(dian)型(xing)試(shi)(shi)品的(de)(de)接線(xian)原理圖，至于各種(zhong)試(shi)(shi)品的(de)(de)加(jia)壓(ya)方式和加(jia)壓(ya)值的(de)(de)多(duo)少，我們在做試(shi)(shi)驗(yan)的(de)(de)時(shi)侯要嚴(yan)格遵守每種(zhong)試(shi)(shi)品的(de)(de)出廠(chang)檢(jian)(jian)驗(yan)標(biao)準或(huo)交(jiao)接檢(jian)(jian)驗(yan)標(biao)準。

第三章  概述(shu)

WBTCD-9308智(zhi)能(neng)(neng)局(ju)部放(fang)電(dian)檢(jian)測(ce)儀(yi)是(shi)我公司(si)*新推向市場的(de)(de)(de)新一代數(shu)(shu)字智(zhi)能(neng)(neng)儀(yi)器，該儀(yi)器在(zai)(zai)原有(you)產(chan)品WBJF-2010、JF-2020局(ju)放(fang)儀(yi)的(de)(de)(de)基礎上采用嵌(qian)入(ru)式ARM系統(tong)作為中央處理單(dan)元，控制12位分(fen)辨率的(de)(de)(de)高(gao)速(su)模數(shu)(shu)轉換芯片進(jin)行數(shu)(shu)據(ju)采集，將采集到的(de)(de)(de)數(shu)(shu)據(ju)存放(fang)在(zai)(zai)雙(shuang)端口RAM中。實(shi)現從模擬(ni)(ni)到數(shu)(shu)字的(de)(de)(de)跨越。使用26萬色高(gao)分(fen)辨率TFT-LCD數(shu)(shu)字液晶顯示模組實(shi)時顯示放(fang)電(dian)脈沖波形，配(pei)備(bei)VGA接口，可(ke)外接顯示器。與傳統(tong)的(de)(de)(de)模擬(ni)(ni)式示波管(guan)顯示局(ju)部放(fang)電(dian)檢(jian)測(ce)儀(yi)相比有(you)以下特點(dian)：

1.彩(cai)色(se)顯示器，雙(shuang)色(se)顯示波(bo)形，更清晰直觀；

2.可(ke)鎖定(ding)波(bo)形，更方便仔細查看(kan)放電波(bo)形細節；

3.自(zi)動測量(liang)并顯(xian)示(shi)試(shi)驗(yan)電源時基頻(pin)率(lv)，無(wu)需(xu)手動切換；

4.配備VGA接(jie)口，可外(wai)接(jie)大(da)尺寸(cun)顯示器；

5.與(yu)示波管相比壽(shou)命更長。

6.具有波形鎖定、打印(yin)試(shi)驗報告功能(neng)

本儀(yi)(yi)器檢(jian)測靈敏度(du)高，試樣電容覆蓋范圍大(da)，適(shi)用試品范圍廣(guang)，輸入(ru)單元（檢(jian)測阻抗）配備(bei)齊(qi)全，頻帶(dai)組(zu)合多（九種）。儀(yi)(yi)器經(jing)適(shi)當定(ding)標后能直讀(du)放電脈沖的(de)放電量。

本儀器(qi)是(shi)電力部(bu)門、制造(zao)廠家和科研單位等廣泛使(shi)用的局部(bu)放電測(ce)試儀器(qi)。

第(di)四章  主要技術(shu)指(zhi)標：

1．可測試品的(de)電容范(fan)圍： 6PF—250uF。

2．檢測靈敏(min)度（見表一）：

表一(yi)

（1）低端：10KHZ、20KHZ、40KHZ任(ren)選。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選。

4、放大器增(zeng)益調節：

粗調六檔(dang)(dang)，檔(dang)(dang)間增益20±1dB；細調范圍≥20dB。每檔(dang)(dang)之間數(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)(ju)(ju)(ju)為(wei)10倍關系：如第三檔(dang)(dang)檢測數(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)(ju)(ju)(ju)為(wei)98，則**檔(dang)(dang)顯(xian)示數(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)(ju)(ju)(ju)為(wei)9.8，如在第三檔(dang)(dang)檢測數(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)(ju)(ju)(ju)超過(guo)120，則應(ying)調至**檔(dang)(dang)來檢測數(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)(ju)(ju)(ju)，所(suo)得數(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)(ju)(ju)(ju)應(ying)乘(cheng)以10才為(wei)實際(ji)測量值。

5、時間窗：

（1）窗(chuang)寬：可調范圍15°-175°；

（2）窗(chuang)位置(zhi)：每一窗(chuang)可旋(xuan)轉0°- 180°；

（3）兩個時(shi)(shi)間(jian)窗可分別(bie)開或同時(shi)(shi)開。

6、放電量表：

0-100誤(wu)差<±3％（以(yi)滿度計(ji)）。

7、橢圓時(shi)基：

（1）頻(pin)率(lv)：50HZ、或外(wai)部電源同步（任意頻(pin)率(lv)）

（2）橢圓(yuan)旋轉：以(yi)30°為一檔，可(ke)作360°旋轉。

（3）顯示(shi)方(fang)式：橢圓—直線(xian)。

8、試驗電壓(ya)表：

精度：優于±3％（以(yi)滿度計）。

9、體積： 320×480×190（寬×深×高）mm³。

10、重量：約15Kg。

三、系統工作原理(li)：

本機的局部放電測試原(yuan)理是高頻脈沖(chong)電流測量(liang)法（ERA法）。

試品Ca在試驗電壓(ya)下(xia)產生(sheng)局部(bu)放電時，放電脈(mo)(mo)沖信(xin)(xin)號(hao)經藕合電容Ca送(song)入(ru)(ru)輸入(ru)(ru)單元(yuan)，由輸入(ru)(ru)單元(yuan)拾取到(dao)脈(mo)(mo)沖信(xin)(xin)號(hao)，經低噪聲(sheng)前置放大(da)器放大(da)，濾波放大(da)器選擇所(suo)需頻帶及主放大(da)器放大(da)（達(da)到(dao)所(suo)需幅值(zhi)與產生(sheng)零標志脈(mo)(mo)沖）后，在示(shi)波屏的橢圓掃描基線上產生(sheng)可見的放電脈(mo)(mo)沖，同時也(ye)送(song)至脈(mo)(mo)沖峰值(zhi)表顯示(shi)其峰值(zhi)。

時(shi)間窗單元控制試驗電壓每一周期內(nei)脈沖峰(feng)值(zhi)的工作(zuo)時(shi)間，并在這段時(shi)間內(nei)將示波屏(ping)的相應顯示區(qu)加(jia)亮，用它(ta)可以排除固定相位(wei)的干擾(rao)。

試(shi)驗電(dian)壓表(biao)經電(dian)容(rong)分(fen)壓器產生試(shi)驗電(dian)壓過零(ling)(ling)標志訊號，在示波屏上顯示零(ling)(ling)標脈(mo)沖(chong)，橢圓時基上兩個零(ling)(ling)標脈(mo)沖(chong)，通過時間窗的(de)寬窄調(diao)節可確定試(shi)驗電(dian)壓的(de)相位(wei)，試(shi)驗電(dian)壓大小(xiao)由(you)數(shu)字(zi)電(dian)壓表(biao)指示。

整個系統的工作原理可參看方框圖（圖一）。

四、結(jie)構說明

本(ben)儀器(qi)為(wei)標準機箱(xiang)結(jie)構，儀器(qi)分前面(mian)板及后(hou)面(mian)板兩部分，各(ge)調節元件的位置及位置和功能見下圖說明。

1、4：長按改變門(men)窗的位置

2、3：長按改變門窗的寬(kuan)度

5：時鐘(zhong)設置按鈕

6：按(an)9號鍵鎖定后再按(an)此鍵，即可打印(yin)試(shi)驗報告(gao)

7：分壓(ya)比設置(zhi)按鈕(niu)

8：門開關，重復按可(ke)選擇左右門

9：波形鎖定按鍵

10：橢圓旋轉按(an)鈕

11：顯(xian)示方式按鈕

12：取消按鈕(niu)

A、B、C通道(dao)(dao)選擇(ze)旋鈕與后面板A、B、C測量通道(dao)(dao)相對應

備注： 如需數據導出，步驟(zou)如下(xia)：

（1）在電腦上(shang)安(an)裝好RS232通用串口線驅動(dong)。（驅動(dong)盤里(li)有安(an)裝介紹）及(ji)局(ju)放試(shi)驗報告(gao)編輯器軟件。

（2）將串口線和局放儀(yi)后(hou)面的數據接口連接好。   

（3）將需(xu)要保存的波(bo)形鎖(suo)定然后點擊(ji) 局放試驗報告編輯器

（4）點擊(ji)Start鍵生成鎖定(ding)后的數據，然后點擊(ji)測試(shi)報告如(ru)下圖所示：

（5）點擊測試報(bao)告后則會出(chu)現局放試驗報(bao)告編輯器可以(yi)根據需要填寫上面(mian)的(de)內容(rong)。

（6）填(tian)寫好(hao)表格(ge)后(hou)點擊生(sheng)成(cheng)報告數據會以(yi)Word文(wen)檔的形(xing)式出現，再將數據保(bao)存至(zhi)電腦，如下圖所示：

第五(wu)章  操作說明

1、試驗準(zhun)備：將(jiang)機器后(hou)面板(ban)的(de)三個開關都置于“關”的(de)狀態(tai)

（1）檢查試驗場地的(de)接地情況，將本(ben)儀器(qi)后(hou)部的(de)接地螺栓用粗銅(tong)線（*好用編制銅(tong)帶）與試驗場地的(de)接地妥善相接，輸入單元的(de)接地短路片也要妥善接地。

（2）根(gen)椐(ju)試品電容Ca，藕合電容Ck的大小，選取(qu)合適序號的輸入單元（表(biao)(biao)一），表(biao)(biao)一中調諧電容量是(shi)指從(cong)輸入單元初級繞組(zu)兩端看到(dao)的電容（按Cx和Ck的串聯值粗略估算）。

輸(shu)入(ru)單元應盡(jin)量靠近(jin)被測試品(pin)，輸(shu)入(ru)單元插(cha)座經8米長(chang)電纜與后(hou)面板上輸(shu)入(ru)插(cha)座相接(jie)。

（3）試品(pin)接入(ru)輸入(ru)單元的(de)方法主(zhu)要有以下(xia)幾種(zhong)：

圖中：Ca——試品    Ck——藕合電容 &nbsp;  Z——阻塞阻抗  R3、C3、R4、C4——橋式接法(fa)中平衡調節阻抗。

（4）在高壓(ya)端接上(shang)電(dian)壓(ya)表電(dian)阻或電(dian)容分壓(ya)器，其輸(shu)出經(jing)測量(liang)電(dian)纜(lan)接到后面板試驗電(dian)壓(ya)輸(shu)入插座(zuo)30。

（5）在未加試(shi)驗電壓的情(qing)況下(xia)，將JF-2006校正脈(mo)沖發生器(qi)的輸出接試(shi)品兩端。

2、使(shi)用步驟

（1）開機準備：將時基(ji)顯(xian)示(shi)方式置于“橢圓”。

（2）放電量的校正(zheng)：按圖接好線后(hou)，在未加試(shi)驗電壓之前用LJF-2006校正(zheng)脈沖(chong)發生器予以校正(zheng)。

注意：方波(bo)測量(liang)盒應盡量(liang)靠近試品的高壓端(duan)。紅端(duan)子引線(xian)接(jie)高壓端(duan)。

然后(hou)調節放大器增益調節，使該注入脈沖(chong)高(gao)度適當(dang)（示波屏上高(gao)度2cm以下(xia)），使數(shu)字表讀數(shu)值與(yu)注入的(de)已知電量相(xiang)符。調定后(hou)放大器細調旋(xuan)鈕的(de)位置不能再改變(bian)，需保持與(yu)校正時相(xiang)同。

校正完成(cheng)后必須去掉校正方(fang)波發生器與試驗回路(lu)的連接。

（3）測試操作：

第六章  抗干擾措施和(he)局部放電圖譜簡介(jie)

對于局部放電實驗我們*怕的(de)就是(shi)干擾(rao)，下面簡(jian)單介紹一下實驗中可(ke)能(neng)遇到的(de)干擾(rao)以及抗(kang)干擾(rao)的(de)方法：

測(ce)量的(de)干(gan)擾分類(lei)

干擾(rao)有來自電網(wang)的和來自空間的。按表現形式分又分為固(gu)定(ding)的和移(yi)動的。主要的干擾(rao)源有以下一些：

①懸浮電位物體放電，通過對地雜散電容耦合(he)

②外部**電暈

③可控硅元件(jian)在鄰(lin)近運(yun)行

④繼電器，接觸器，輝光管等物品

⑤接觸**

⑥無線電干(gan)擾

⑦熒光燈干擾

⑧電動(dong)機干擾

⑨中(zhong)高(gao)頻工業設備

（二）抗(kang)干(gan)擾(rao)方法

采用帶(dai)調壓(ya)器(qi)，隔離(li)變壓(ya)器(qi)和濾波器(qi)的控制(zhi)電源(yuan)

設(she)置(zhi)屏(ping)蔽室，可只屏(ping)蔽試驗回路部分(fen)

可(ke)靠的單點接(jie)(jie)地(di)(di)，將(jiang)試驗回路(lu)系(xi)統設計成單點接(jie)(jie)地(di)(di)結構，接(jie)(jie)地(di)(di)電阻要(yao)小(xiao)，接(jie)(jie)地(di)(di)點要(yao)與一般(ban)試驗室的地(di)(di)網及電力網中線(xian)分(fen)開(kai)。

采用高壓(ya)濾波器

用平(ping)衡(heng)法(fa)或(huo)橋(qiao)式(shi)試(shi)驗電路

利用時間窗(chuang)，使固(gu)定(ding)相位干擾處于亮窗(chuang)之外(wai)

采用(yong)較窄頻(pin)帶(dai)，或用(yong)頻(pin)帶(dai)躲開干(gan)擾大(da)的(de)頻(pin)率范圍

在高壓(ya)端(duan)加裝高壓(ya)屏蔽罩(zhao)或半導體橡膠帽以(yi)防電暈干擾

試驗電(dian)路遠離周圍(wei)物體，尤其是懸浮(fu)的金(jin)屬固體！

（三(san)）初做實驗者對波(bo)形辨認還是有一(yi)定困難的，下面就簡(jian)單(dan)介紹一(yi)     放電類型和干擾的初步辯認：

1． 典型的內部氣泡放電(dian)的波(bo)形特點：(圖 5—01)

A．放電主要(yao)顯示在(zai)試驗電壓由(you)零升到峰值的兩個橢圓象限內。

B．在起(qi)始電(dian)壓Ui時，放電(dian)通常發(fa)生在峰值(zhi)附近，試驗電(dian)壓(ya)超過Ui時，放(fang)電向零相位延伸。

C．兩(liang)個相(xiang)反(fan)半(ban)周(zhou)上(shang)放電次數和幅值大致相(xiang)同（*大相(xiang)差至3：1）。

D．放電波形可辯。

E．q與試驗(yan)電壓關系不大，但放電重(zhong)復率(lv)n隨試驗電壓上升(sheng)而(er)加大。

F．局部(bu)放(fang)電起始電壓Ui和(he)熄滅電(dian)壓Ue基(ji)本相等(deng)。

G．放電量q與時間關系(xi)不大(da)。

H．如果(guo)放電(dian)量隨試驗(yan)電(dian)壓上升而增大(da)(da)，并且放電(dian)波形(xing)變得模糊不可(ke)分辨，則往往是介質內含有多種大(da)(da)小氣泡，或是介質表(biao)面放電(dian)。如果(guo)除了上述情況，而且放電(dian)幅值隨加壓時間而迅速增長（可(ke)達100倍或(huo)更(geng)多），則往往是絕緣液體中的(de)氣泡放電，典型例(li)子是油浸紙電容器(qi)的(de)放電。

2． 金屬與介質間(jian)氣泡的放電波形(xing)特點：               

正半(ban)周有(you)許多幅(fu)值(zhi)小的放電(dian)(dian)，負半(ban)周有(you)很少幅(fu)值(zhi)大的放電(dian)(dian)。幅(fu)值(zhi)相差(cha)可達10﹕1，其他同上。

典型例(li)子：絕(jue)緣與導體粘附**的(de)聚乙(yi)烯(xi)電(dian)纜(lan)的(de)放(fang)電(dian)。q與試驗電(dian)壓關(guan)系不大。（圖 5—02）

如果(guo)隨試驗(yan)電(dian)壓(ya)升高，放(fang)(fang)電(dian)幅值(zhi)也增大，而且放(fang)(fang)電(dian)波形變得模糊(hu)，則往往是含(han)有不(bu)同大小多個(ge)氣泡，或是外(wai)露(lu)的(de)金屬與介(jie)質表面(mian)之間出現(xian)的(de)表面(mian)放(fang)(fang)電(dian)。（圖 5—03）

（四）下面介紹(shao)一(yi)些主要視為(wei)干擾(rao)或非正常放電(dian)的情況：

（1）懸(xuan)浮(fu)電位物體放電波形特點：

在電(dian)壓(ya)峰值(zhi)(zhi)前的(de)正負半周兩個(ge)象限(xian)里(li)出(chu)現幅值(zhi)(zhi)。脈沖數和(he)位置均(jun)相(xiang)同，成對出(chu)現。放電(dian)可移動，但(dan)(dan)它們間的(de)相(xiang)互間隔不(bu)變，電(dian)壓(ya)升高時，根數增(zeng)加，間隔縮小，但(dan)(dan)幅值(zhi)(zhi)不(bu)變。有(you)時電(dian)壓(ya)升到一(yi)定值(zhi)(zhi)時會消失，但(dan)(dan)降(jiang)至此(ci)值(zhi)(zhi)又重新出(chu)現。

原因：金屬(shu)間的(de)(de)間隙產生(sheng)的(de)(de)放(fang)電，間隙可(ke)能是地面上兩個獨立的(de)(de)金屬(shu)體間（通過雜散電容耦合）也可(ke)能在樣品內，例(li)如屏蔽松散。

（2）外部**電暈(yun)放電波形(xing)特點：

起始放(fang)(fang)電(dian)僅出現在試驗電(dian)壓的一個半周上，并對稱地(di)分布在峰值兩側。試驗電(dian)壓升高時，放(fang)(fang)電(dian)脈沖數急劇(ju)增加，但幅值不變，并向(xiang)兩側伸展。

原(yuan)因：空氣中高壓(ya)**或邊(bian)緣放電(dian)。如果放電(dian)出現(xian)在負半周(zhou)，表示**處(chu)于高壓(ya)，如果放電(dian)出現(xian)在正(zheng)半周(zhou)則**處(chu)于地電(dian)位(wei)。

（3）液體介質中的**電暈放(fang)電波形特點：

放(fang)電(dian)出現(xian)在兩(liang)個半周上，對稱(cheng)地(di)分(fen)布在峰值(zhi)(zhi)兩(liang)側。每一(yi)(yi)組(zu)放(fang)電(dian)均為等間(jian)隔，但一(yi)(yi)組(zu)幅(fu)值(zhi)(zhi)較(jiao)大的放(fang)電(dian)先出現(xian)，隨試驗電(dian)壓升(sheng)高而(er)幅(fu)值(zhi)(zhi)增大，不一(yi)(yi)定等幅(fu)值(zhi)(zhi)；一(yi)(yi)組(zu)幅(fu)值(zhi)(zhi)小的放(fang)電(dian)幅(fu)值(zhi)(zhi)相等，并且不隨電(dian)壓變化。

原(yuan)因：絕緣(yuan)液體(ti)中**或邊緣(yuan)放電。如(ru)一組(zu)大(da)的放電出(chu)現在(zai)正半周，則(ze)**處(chu)于高壓；如(ru)出(chu)現在(zai)負(fu)半周，則(ze)**地電位(wei)。

（4）接觸**的干擾圖形。

波(bo)形(xing)特點(dian)：對稱地分布在實(shi)驗電壓(ya)(ya)零點(dian)兩側，幅(fu)值大致不變，但(dan)在實(shi)驗電壓(ya)(ya)峰值附(fu)近下降(jiang)為零。波(bo)形(xing)粗糙不清晰，低電壓(ya)(ya)下即出現。電壓(ya)(ya)升高(gao)時，幅(fu)值緩慢增(zeng)加，有時在電壓(ya)(ya)達到一定值后(hou)會(hui)完全消失。

原(yuan)因：實驗回(hui)路中金屬(shu)與金屬(shu)**接觸的(de)連接點(dian)；塑(su)料電纜屏蔽(bi)層半導體(ti)粒子的(de)**接觸；電容器(qi)鋁箔的(de)插(cha)接片等（可(ke)將電容(rong)器(qi)充電然后短路(lu)來消除）。              &nbsp;

（5）可控硅元件(jian)的干(gan)擾圖形。

波形(xing)特點(dian)：位置固定，每只(zhi)元(yuan)件產生一(yi)個獨(du)立訊號(hao)。電路(lu)接通，電磁耦合效應(ying)增強時(shi)訊號(hao)幅(fu)值增加，試驗(yan)調(diao)壓時(shi)，該(gai)脈沖訊號(hao)會發生高頻(pin)波形(xing)展寬，從而占位增加。

原因：鄰近有可控(kong)硅元件在(zai)運行。

（6）繼(ji)電器(qi)、接觸(chu)器(qi)、輝光管等動作的干(gan)擾。

波形特點(dian)：分布不規(gui)則或間斷(duan)出現(xian)，同試驗電壓無關。

原(yuan)因(yin)：熱繼電(dian)器、接觸器和各種火花試驗(yan)器及有(you)火花放電(dian)的記錄器動作(zuo)時產(chan)生。

（7）熒(ying)光燈的干擾圖形。

波形特點：欄柵狀，幅(fu)值大致相同的(de)脈(mo)沖，伴(ban)有正負半波對(dui)稱出現的(de)兩簇脈(mo)沖組。

原因：熒(ying)光燈照明          ;                                                                           

（8）無線電(dian)干擾(rao)的干擾(rao)圖形。

波(bo)(bo)形(xing)特點：幅值有調制的高頻正弦波(bo)(bo)，同(tong)試驗電壓無關。

原因：無線電話、廣播話筒、載波通訊等。

（9）電(dian)動機干(gan)擾(rao)的干(gan)擾(rao)圖(tu)形（圖(tu)5—12）

波形特點：放電波形沿橢(tuo)圓基線均(jun)勻分布，每個單個訊(xun)號呈“山”字(zi)形。

原(yuan)因：帶換向器的電動機，如電扇(shan)、電吹風運(yun)轉時(shi)的干擾(rao)。

（10）中(zhong)高頻工業設備的干擾圖形。

波形特點(dian)：連續發生，僅(jin)出(chu)現在電源波形的半(ban)周內。

原(yuan)因：感應加熱裝(zhuang)置和頻率接(jie)近檢測頻率的超聲(sheng)波發生器等(deng)。

（11）鐵芯磁(ci)飽(bao)和(he)諧波的干擾圖(tu)形（圖(tu)5—14）

波(bo)(bo)形特(te)點：較(jiao)低頻(pin)率的諧波(bo)(bo)振蕩，出現在兩個半周上，幅(fu)值隨試驗電壓(ya)升高而增大，不加電壓(ya)時消失(shi)，有(you)重現性。

原因：試驗系(xi)統(tong)各種鐵芯設(she)備（試驗變(bian)壓器、濾波(bo)電抗(kang)器、隔離變(bian)壓器等）磁飽和產生(sheng)的諧振。                      &nbsp;          

（12）電極在電場方向機械移動的干擾圖形。

波形特點：僅在試(shi)驗電(dian)壓的(de)(de)(de)半周（正或(huo)負）上出(chu)現的(de)(de)(de)與峰值對(dui)(dui)稱的(de)(de)(de)兩(liang)個放電(dian)響應，幅(fu)值相(xiang)等，而脈沖(chong)(chong)方向相(xiang)反，起始電(dian)壓時兩(liang)個脈沖(chong)(chong)在峰值處靠得很近，電(dian)壓升高(gao)時逐漸分開，并可能產(chan)生(sheng)新的(de)(de)(de)脈沖(chong)(chong)訊號對(dui)(dui)。

原因：電(dian)極的部分（尤(you)其是金(jin)屬箔電(dian)極）在(zai)電(dian)場作用下運動。                        &nbsp; 

（14）漏電(dian)痕跡(ji)和樹枝(zhi)放電(dian)

波(bo)形(xing)特點(dian)：放電訊(xun)號(hao)波(bo)形(xing)與一般(ban)典(dian)型圖(tu)象均不符(fu)合，波(bo)形(xing)不規則不確(que)定。

原因：玷污了的絕緣(yuan)上(shang)漏(lou)電(dian)或(huo)絕緣(yuan)局部過(guo)熱而致的碳化痕(hen)跡(ji)或(huo)樹(shu)枝(zhi)通道。

在放(fang)電測試(shi)中必(bi)須保證測試(shi)回(hui)路中其它(ta)元件（試(shi)驗(yan)變(bian)壓器、阻塞線圈、耦合電容(rong)器、電壓表電阻等(deng)）均(jun)不放(fang)電，常用(yong)的辦法是用(yong)與試(shi)品電容(rong)數量級(ji)相同的無放(fang)電電容(rong)或絕緣(yuan)結構取代(dai)試(shi)品試(shi)驗(yan)，看(kan)看(kan)有無放(fang)電。

了(le)解了(le)各種放(fang)(fang)電類型的波形特征(zheng)，來源以(yi)及識別(bie)干(gan)擾(rao)(rao)后就可按具體情況采取措施排除干(gan)擾(rao)(rao)和(he)正確地進行放(fang)(fang)電測量了(le)。

第七章(zhang)     局部放電(dian)測(ce)試(shi)當中應該注意(yi)的(de)問題

實驗前，試(shi)品的絕緣表面(mian)（尤其是高壓端(duan)）應作(zuo)清潔化處理

2、   各連接(jie)點應(ying)接(jie)觸(chu)良(liang)好，尤其是高(gao)壓(ya)(ya)端不要留下尖銳(rui)的(de)接(jie)點，高(gao)壓(ya)(ya)導(dao)線應(ying)盡可(ke)能(neng)粗以防電暈，可(ke)用(yong)蛇(she)皮管(guan)。

輸入(ru)單(dan)元(yuan)要(yao)盡量靠近試品，而(er)且接(jie)地要(yao)可靠，接(jie)地線*好用(yong)

編織銅(tong)帶(dai)。主機也須接地，以保證**。

試驗(yan)回(hui)路(lu)盡可(ke)能緊湊。即(ji)高壓連線盡可(ke)能短(duan)，試驗(yan)回(hui)路(lu)所圍面 

積(ji)盡可能(neng)小。

在進行110KV及以上等(deng)級(ji)的局(ju)放試驗時，試品周圍的懸浮金屬

物體(ti)應(ying)妥(tuo)善接(jie)地。

考慮到油浸(jin)式試品局部放(fang)電存(cun)在(zai)滯后效應，因此在(zai)局放(fang)試驗(yan)前

幾(ji)小時，不(bu)要對試(shi)(shi)品施加超過局部放電試(shi)(shi)驗電壓的高電壓。

第八(ba)章  附件

1、專用測量(liang)電纜線6米   &nbsp;     2根

2、電源線(xian)                     1根(gen)

3、1.0A保險絲   &nbsp;&nbsp;            4根

4、使用說明書 &nbsp;             &nbsp; 1份

- WBJF-2020校正脈沖發生器使用說明(ming)

用(yong)途與適(shi)用(yong)范圍：

WBJF-2020校(xiao)(xiao)正脈(mo)沖發(fa)生(sheng)器是一個(ge)小型的(de)廉價的(de)電(dian)池供電(dian)的(de)局部(bu)放電(dian)校(xiao)(xiao)正器，它適用(yong)于(yu)需要(yao)攜帶(dai)和使(shi)用(yong)靈活的(de)場合。

主要規格(ge)及技術參數(shu)：

輸出電(dian)荷量：5PC  50PC  100PC  500PC

上升時(shi)間：<100ns

衰減(jian)時間：>100us

極性(xing)：正、負極性(xing)

重復(fu)頻(pin)率：1KHz

頻率變化(hua)：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重(zhong)量：0.5Kg

電池：6F22  9V

操作(zuo)與(yu)作(zuo)用：

首先打(da)開(kai)WBJF-2020校(xiao)(xiao)正(zheng)脈沖發(fa)生器后(hou)蓋(gai)板，裝入電池，蓋(gai)好(hao)蓋(gai)板。將(jiang)輸出紅(hong)黑兩(liang)個端子接上導(dao)線(xian)，紅(hong)端子上的(de)導(dao)線(xian)盡量且靠近試品(pin)的(de)高壓端，黑端導(dao)線(xian)接試品(pin)和(he)低(di)壓端，將(jiang)校(xiao)(xiao)正(zheng)電量開(kai)關置于合適(shi)的(de)位置，即可校(xiao)(xiao)正(zheng)，頻率可在1KHz附近調(diao)節，面板上(shang)電(dian)壓表指示機內電(dian)源的情況，一(yi)般指示8V以上才能保證工作(zuo)，低于8V則需(xu)調(diao)換電池。

校正后(hou)切記將校正脈沖發生器取下(xia)！

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