**章 WBTCD-9308局放試(shi)驗儀(yi)局放理論概述

在開始我(wo)們(men)的(de)實驗以前，我(wo)們(men)首先應該對局部放電有(you)個初(chu)步的(de)了(le)解，為(wei)什么(me)要(yao)測量(liang)局部放電？局部放電有(you)什么(me)危害？怎樣準(zhun)確(que)測量(liang)局部放電？有(you)了(le)上述(shu)理論基礎(chu)可(ke)以幫助我(wo)們(men)理解測量(liang)過程中的(de)正確(que)操作(zuo)。

一、局部放(fang)電的(de)定(ding)義(yi)及產生原因

在電(dian)(dian)(dian)場作(zuo)用下，絕(jue)(jue)緣(yuan)系統(tong)中只有(you)部(bu)分區域(yu)發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，但尚未擊穿(chuan)，（即在施加電(dian)(dian)(dian)壓的(de)(de)導體之間沒(mei)有(you)擊穿(chuan)）。這(zhe)種現象稱之為局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)可(ke)能發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在導體邊上，也可(ke)能發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在絕(jue)(jue)緣(yuan)體的(de)(de)表(biao)面上和內部(bu)，發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在表(biao)面的(de)(de)稱為表(biao)面局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)在內部(bu)的(de)(de)稱為內部(bu)局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。而對于被氣體包圍的(de)(de)導體附近發(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，稱之為電(dian)(dian)(dian)暈。由此 總(zong)結一下局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)定義，指部(bu)分的(de)(de)橋接導體間絕(jue)(jue)緣(yuan)的(de)(de)一種電(dian)(dian)(dian)氣放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，局(ju)(ju)部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)產生(sheng)(sheng)(sheng)原(yuan)因(yin)主要有(you)以下幾種：

電場不均勻。

電介質不均勻。

制造過(guo)程的(de)氣泡或雜質。*經常發生放電(dian)的(de)原因是(shi)絕緣體內(nei)部(bu)或表面存(cun)在氣泡；其次是(shi)有些設(she)備的(de)運(yun)行過(guo)程中會發生熱脹冷(leng)縮(suo),不同(tong)材料特別是(shi)導體(ti)與(yu)介(jie)質的膨脹系數不同(tong)，也會(hui)逐(zhu)漸出(chu)現裂(lie)縫；再有一(yi)些(xie)是(shi)在運行過(guo)程中有機高分子(zi)的老化，分解(jie)出(chu)各種揮發物，在高場強的作(zuo)用下，電荷不斷地(di)由導體(ti)進入(ru)介(jie)質中， 在注入(ru)點(dian)上(shang)就會(hui)使(shi)介(jie)質氣化。

二 、WBTCD-9308局放試驗儀局(ju)部(bu)放電的(de)模擬電路及放電過程(cheng)簡介

介質內部(bu)含(han)有氣泡，在交流電(dian)壓下產(chan)生的內部(bu)放電(dian)特性(xing)可由(you)圖(tu)1—1的模(mo)擬(ni)電路(a b c等值電路)予以表(biao)示(shi)；其中Cc是模擬介質中產生放電間(jian)隙(如氣泡)的電容；Cb代表與(yu)Cc串聯(lian)部分介(jie)質的合(he)成電容；Ca表示其余(yu)部(bu)分介(jie)質的電(dian)容。

I——介質有(you)缺陷(氣泡)的部份(虛(xu)線表示)

II——介質無缺陷部份

圖(tu)1—1  表示(shi)具有內部放電(dian)的模擬(ni)電(dian)路

圖1—1中以并聯有—對火花間隙(xi)的電容Cc來模(mo)擬產生局部放(fang)電的內部氣泡。圖(tu)1—2表示了在交(jiao)流電(dian)壓下局部放電(dian)的發(fa)生過程。

U(t)一一外施交流電壓

Uc(t)一(yi)一(yi)氣(qi)泡(pao)不擊穿時在氣(qi)泡(pao)上的(de)電壓(ya)

Uc’(t)一(yi)一(yi)有局部放電時氣泡上(shang)的實際(ji)電壓

Vc一一氣泡(pao)的(de)擊(ji)穿(chuan)電壓

Y r一(yi)一(yi)氣(qi)泡的殘余(yu)電壓   

Us—局部放電(dian)起始(shi)電(dian)壓(瞬時(shi)值)

Ur一一與氣泡殘余(yu)電壓v r對(dui)應的外(wai)施(shi)電壓

Ir一一氣泡中的放電(dian)電(dian)流

電極(ji)間總電容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極間(jian)施加交流(liu)電壓 u(t)時(shi)，氣泡(pao)電容Cc上對應的電壓為Uc(t)。如圖(tu)2—1所(suo)示(shi)，此(ci)時(shi)的Uc(t)所代表的(de)是(shi)氣泡理想狀(zhuang)態下(xia)的(de)電(dian)壓(ya)（既氣泡不發(fa)生擊穿(chuan)）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電壓U(t)上(shang)升(sheng)時，氣泡(pao)上(shang)電(dian)壓Uc(t)也上升，當U(t)上升到Us時，氣泡(pao)上電(dian)壓Uc達到(dao)氣泡擊穿電壓,氣(qi)泡(pao)擊穿，產(chan)生大量的(de)(de)(de)正、負離子，在電(dian)場(chang)(chang)作用(yong)下各自遷移到(dao)氣(qi)泡(pao)上下壁，形成空間電(dian)菏(he)，建立反電(dian)場(chang)(chang)，削弱了氣(qi)泡(pao)內的(de)(de)(de)總電(dian)場(chang)(chang)強(qiang)度，使放(fang)(fang)電(dian)熄滅，氣(qi)泡(pao)又恢復(fu)絕緣性能(neng)。這樣的(de)(de)(de)一次放(fang)(fang)電(dian)持續時間是極短暫的(de)(de)(de)，對一般的(de)(de)(de)空氣(qi)氣(qi)泡(pao)來說，大約只有幾個毫微秒(miao)(10的(de)負8次方到10的(de)負(fu)9次方秒)。所以電壓Uc(t)幾乎瞬間(jian)地從Vc降到Vr，Vr是殘余電壓(ya)；而氣泡上電壓(ya)Uc‘(t)將(jiang)隨(sui)U(t)的(de)增大而繼續由Vr升高到(dao)Vc時，氣泡再—次(ci)擊(ji)穿，發生又—次局部(bu)放電(dian)(dian)，但此時(shi)相應(ying)的(de)外施電(dian)(dian)壓比Us小，為(Us-Ur)，這是因為氣泡上有殘余電壓Vr的內電(dian)場作用的結果。Vr是與(yu)氣泡殘余電壓(ya)Yr相應的(de)外施(shi)電壓，如(ru)此反復(fu)上述過程(cheng)，即外施(shi)電壓每增加(Us-Ur)，就產(chan)生一次局部(bu)放電．直到前—次放電熄(xi)滅后，Uc’(t)上升到峰值時共增量不足以(yi)達Vc(相(xiang)當于外施(shi)電壓的增量Δ比(bi)(Us-Ur)小)為止。

此后，隨著外施電(dian)壓U(t)經過峰值Um后減小，外施電(dian)壓在氣泡(pao)中建立反方(fang)向電(dian)場(chang)，由于氣泡(pao)中殘存的內電(dian)場(chang)電(dian)壓方(fang)向與(yu)外電(dian)場(chang)方(fang)向相反，故外施電(dian)壓須(xu)經(Us+Ur))的電(dian)(dian)(dian)壓變化，才能使(shi)氣泡(pao)上的電(dian)(dian)(dian)壓達到(dao)擊穿電(dian)(dian)(dian)壓Vc，(假定(ding)正、負方向擊穿電壓Vc相等)，產生(sheng)一次局部(bu)放電(dian)。放電(dian)很快(kuai)熄滅(mie)，氣泡(pao)中電(dian)壓瞬時降到殘余電(dian)壓Vr(也假(jia)定正(zheng)、負方向相同)。外施電壓繼續下降，當再下降(Us-Ur)時，氣泡電(dian)壓就又達(da)到Vc從(cong)而又產(chan)生(sheng)一次局部(bu)放電(dian)。如此重(zhong)復上述過(guo)程，直到(dao)外施電(dian)壓升(sheng)到(dao)反(fan)向(xiang)蜂值一Um的增(zeng)量Δ不足以達到(Us-Ur)為止。外施電壓經過一Um峰值(zhi)后，氣泡(pao)上(shang)的外電場方向(xiang)又變為(wei)正方向(xiang)，與氣泡(pao)殘(can)余(yu)電壓方向(xiang)相反，故外施電壓又須(xu)上(shang)升(Us+Ur)產生第—次放電(dian)，熄滅(mie)后，每經過Us—Ur的電壓上升(sheng)就(jiu)產生一(yi)次放電，重復前面所介紹的過(guo)程(cheng)。如(ru)圖1—2所示。

由以上(shang)局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)過程分析，同時根據局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)的(de)(de)特點（同種試品，同樣的(de)(de)環境(jing)下(xia)，電(dian)壓(ya)越(yue)高局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)量越(yue)大）可以知(zhi)道：一(yi)般情(qing)況下(xia)，同一(yi)試品在一(yi)、三象限(xian)(xian)的(de)(de)局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)量大于二、四象限(xian)(xian)的(de)(de)局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)量。那是(shi)(shi)因為(wei)它們是(shi)(shi)電(dian)壓(ya)的(de)(de)上(shang)升沿。（第三象限(xian)(xian)是(shi)(shi)電(dian)壓(ya)負的(de)(de)上(shang)升沿）。這就是(shi)(shi)我們測量中(zhong)為(wei)什(shen)么(me)把(ba)時間窗(chuang)刻意擺在一(yi)、三象限(xian)(xian)的(de)(de)原因。

三、WBTCD-9308局(ju)放試驗儀局部(bu)放電的測量原理：

四、WBTCD-9308局放試驗儀局(ju)部放電(dian)的表征參數(shu)

局部放電是(shi)比較復(fu)雜的(de)(de)物理現象，必須通(tong)(tong)過(guo)(guo)多種表征參數才能**的(de)(de)描繪其狀態，同(tong)(tong)時局部放電對(dui)絕緣破壞(huai)的(de)(de)機理也是(shi)很復(fu)雜的(de)(de)，也需(xu)要通(tong)(tong)過(guo)(guo)不同(tong)(tong)的(de)(de)參數來評定它對(dui)絕緣的(de)(de)損害，目前(qian)我們只關心兩(liang)個基(ji)本參數。

視在放電(dian)電(dian)荷——在絕(jue)緣體(ti)中發(fa)生局部放電時，絕(jue)緣體(ti)上施(shi)加電壓(ya)的兩端出現的脈(mo)動(dong)電荷稱(cheng)之為視(shi)在放電電荷，單位用皮庫（pc）表示(shi)，通常以穩(wen)定出現的*大視(shi)在放電(dian)電(dian)荷作為該試品的放電(dian)量。

放電重(zhong)復率——在測量時間內每(mei)秒中出現的放電次(ci)數(shu)的平均值(zhi)稱為放電重復(fu)率，單位(wei)為次(ci)/秒(miao)，放電重復率越高，對(dui)絕(jue)緣的損害越大。

**章  局放測試的(de)試驗系統接線。

在了解了局部放(fang)電的(de)基(ji)本理論之后(hou)，在本章我(wo)們(men)的(de)重點轉向實際操作，我(wo)們(men)先介紹(shao)局部放(fang)電測(ce)試(shi)中常用的(de)三種(zhong)接法，隨后(hou)我(wo)們(men)再介紹(shao)整個(ge)系統的(de)接線電路，*后(hou)我(wo)們(men)再分別介紹(shao)幾種(zhong)典型的(de)試(shi)品的(de)試(shi)驗線路。

一、局放(fang)電(dian)測試電(dian)路的三(san)種基本接法及優缺點。

（1）   標準試驗電路(lu)，又稱并(bing)聯(lian)法。適合于必須接地的試品(pin)。其缺點是(shi)高壓引線對地雜(za)散(san)電容并聯在 CX上，會(hui)降低(di)測試靈敏度(du)。

（2）接法(fa)的串聯法(fa)，其要求試品低壓端對地(di)浮置。其優點是(shi)變壓器入(ru)口電容(rong)(rong)、高壓線(xian)對地雜散電容(rong)(rong)與耦合電容(rong)(rong)CK并聯，有利于提高試驗靈敏度。缺(que)點是(shi)試樣損壞(huai)時會(hui)損壞(huai)輸入(ru)單元(yuan)。

（3）平衡(heng)法(fa)試驗(yan)電路：要求(qiu)兩個試品(pin)相(xiang)(xiang)接(jie)近，至少電容量(liang)為同一數量(liang)級其(qi)優點(dian)是外干擾強(qiang)烈(lie)的情況下，可取得較好抑制(zhi)干擾的效(xiao)果，并可消除變壓(ya)器雜散電容的影(ying)響，而且可做(zuo)大電容試驗(yan)。缺點(dian)是須要兩個相(xiang)(xiang)似的試品(pin)，且當產生放電時(shi)，需設法(fa)判別是哪個試品(pin)放電。

值得提出的是：由于現場試驗條件的限制(zhi)（找到兩個相似的試品且要保證一個試品無放電不太容易），所(suo)以在現場平衡法比較難實現，另外(wai)，由于采用串聯(lian)法(fa)(fa)時(shi)，如果試品擊穿，將會對設備造成比較大的(de)損害，所以出于對設備保護的(de)想法(fa)(fa)，在現場試驗時(shi)一(yi)般采用并(bing)聯(lian)法(fa)(fa)。

二、WBTCD-9308局放試驗儀采用并聯法的整個系統的接(jie)線原理圖。

該系(xi)統(tong)(tong)采用脈(mo)沖電(dian)(dian)流法(fa)檢測(ce)高壓(ya)試(shi)品(pin)的局(ju)(ju)部放電(dian)(dian)量(liang)，由控(kong)(kong)制臺(tai)控(kong)(kong)制調壓(ya)器和(he)變(bian)壓(ya)器在試(shi)品(pin)的高壓(ya)端產生(sheng)測(ce)試(shi)局(ju)(ju)放所需的預加電(dian)(dian)壓(ya)和(he)測(ce)試(shi)電(dian)(dian)壓(ya)，通過無局(ju)(ju)放藕(ou)合電(dian)(dian)容器和(he)檢測(ce)阻(zu)抗(kang)將局(ju)(ju)部放電(dian)(dian)信號取出并送至局(ju)(ju)部放電(dian)(dian)檢測(ce)儀顯示(shi)并判斷(duan)和(he)測(ce)量(liang)。系(xi)統(tong)(tong)中的高壓(ya)電(dian)(dian)阻(zu)為(wei)了防止在測(ce)試(shi)過程(cheng)中試(shi)品(pin)擊穿(chuan)而(er)損壞其他設備(bei)，兩個(ge)電(dian)(dian)源濾(lv)波器是(shi)將電(dian)(dian)源的干擾(rao)和(he)整個(ge)測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)(tong)分開，降低整個(ge)測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)(tong)的背景(jing)干擾(rao)。

根據上(shang)述原理(li)圖可(ke)(ke)以看(kan)出(chu)，局部(bu)(bu)放電測試的靈敏度(du)和準(zhun)確度(du)和整個(ge)系統密切(qie)相關，要想順利(li)和準(zhun)確的進行局部(bu)(bu)放電測試，就必須將整個(ge)系統考濾周到，包括系統的參(can)數選(xuan)取和連接方式。另外(wai)，在(zai)現場試驗(yan)(yan)(yan)時，由(you)于是(shi)驗(yan)(yan)(yan)證性試驗(yan)(yan)(yan)，高壓(ya)限流(liu)電阻可(ke)(ke)以省掉。

三、幾(ji)種典型試品的接線原理圖(tu)。

（1）電流互感器的局放測試接線原理圖

（2）電壓互感器(qi)的局(ju)放測試(shi)接線原(yuan)理(li)圖

A．工頻(pin)加壓方式接線原理圖

為(wei)了防(fang)止電(dian)壓(ya)(ya)互(hu)感(gan)器(qi)在工頻(pin)電(dian)壓(ya)(ya)下(xia)產生大(da)的(de)勵磁電(dian)流而(er)損壞，高壓(ya)(ya)電(dian)壓(ya)(ya)互(hu)感(gan)器(qi)一般采取(qu)自激勵的(de)加壓(ya)(ya)方式。在電(dian)壓(ya)(ya)互(hu)感(gan)器(qi)的(de)低壓(ya)(ya)側加一倍頻(pin)電(dian)源，在電(dian)壓(ya)(ya)互(hu)感(gan)器(qi)的(de)高壓(ya)(ya)端感(gan)應出(chu)高壓(ya)(ya)來進行局(ju)部放(fang)電(dian)實驗。這就(jiu)是通常所說的(de)三倍頻(pin)實驗。其接(jie)線原理圖如下(xia)：

(3)高壓(ya)電(dian)容器(qi).絕緣子的局(ju)放測(ce)試接線原理(li)圖(tu)

(4) 發電機(ji)的(de)局放測試(shi)接線原(yuan)理圖(tu)

（5）變(bian)壓器的局部放電測試接線(xian)原理圖

我們僅(jin)僅(jin)是在原理(li)性的(de)總結了幾種(zhong)典型試品的(de)接線原理(li)圖(tu)，至于各(ge)種(zhong)試品的(de)加(jia)壓(ya)方式和加(jia)壓(ya)值的(de)多少(shao)，我們在做試驗(yan)的(de)時侯要嚴格遵守每種(zhong)試品的(de)出廠檢驗(yan)標準或交接檢驗(yan)標準。

第三章(zhang)  概述

WBTCD-9308智(zhi)能(neng)局(ju)部(bu)放(fang)電檢測儀(yi)是我公司*新推向市場的新一代(dai)數(shu)(shu)字(zi)智(zhi)能(neng)儀(yi)器(qi)，該儀(yi)器(qi)在原(yuan)有(you)產品WBJF-2010、JF-2020局(ju)放(fang)儀(yi)的基礎上采(cai)用(yong)嵌入式(shi)ARM系(xi)統作為中央處理(li)單元，控制12位分辨率的高速模數(shu)(shu)轉換芯片進行數(shu)(shu)據采(cai)集，將采(cai)集到的數(shu)(shu)據存放(fang)在雙(shuang)端口RAM中。實(shi)(shi)現從(cong)模擬(ni)(ni)到數(shu)(shu)字(zi)的跨越。使用(yong)26萬色高分辨率TFT-LCD數(shu)(shu)字(zi)液晶顯(xian)(xian)示模組實(shi)(shi)時顯(xian)(xian)示放(fang)電脈(mo)沖(chong)波形(xing)，配備VGA接口，可外接顯(xian)(xian)示器(qi)。與(yu)傳(chuan)統的模擬(ni)(ni)式(shi)示波管顯(xian)(xian)示局(ju)部(bu)放(fang)電檢測儀(yi)相比有(you)以下特(te)點：

1.彩(cai)色顯(xian)示器(qi)，雙(shuang)色顯(xian)示波形，更清晰直觀(guan)；

2.可鎖(suo)定波形，更方(fang)便仔細查看放電波形細節；

3.自動(dong)測量(liang)并顯示試驗電(dian)源時基頻率，無需手動(dong)切換；

4.配(pei)備VGA接口，可(ke)外接大(da)尺寸顯示器；

5.與示波管相比壽命更(geng)長(chang)。

6.具有波形(xing)鎖定、打印(yin)試驗報告(gao)功(gong)能

本儀(yi)器(qi)檢測(ce)靈敏度高(gao)，試樣電容覆蓋范圍大，適(shi)用(yong)試品(pin)范圍廣，輸(shu)入(ru)單元(yuan)（檢測(ce)阻抗）配(pei)備(bei)齊全，頻帶組(zu)合多（九種）。儀(yi)器(qi)經適(shi)當(dang)定標(biao)后(hou)能直(zhi)讀放(fang)電脈沖的放(fang)電量。

本(ben)儀(yi)器是電(dian)力(li)部門、制造廠家和(he)科(ke)研單位等廣(guang)泛使用的(de)局部放電(dian)測試儀(yi)器。

第四章  主要技術指標：

1．可測試品的電容范(fan)圍： 6PF—250uF。

2．檢測靈敏度（見(jian)表一(yi)）：

表一(yi)

（1）低端(duan)：10KHZ、20KHZ、40KHZ任(ren)選(xuan)。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選。

4、放(fang)大(da)器增益調節(jie)：

粗調(diao)六檔(dang)(dang)，檔(dang)(dang)間增益20±1dB；細調(diao)范圍≥20dB。每檔(dang)(dang)之間數據(ju)(ju)為(wei)10倍關系：如第三檔(dang)(dang)檢(jian)測(ce)數據(ju)(ju)為(wei)98，則(ze)**檔(dang)(dang)顯示數據(ju)(ju)為(wei)9.8，如在第三檔(dang)(dang)檢(jian)測(ce)數據(ju)(ju)超過120，則(ze)應調(diao)至**檔(dang)(dang)來檢(jian)測(ce)數據(ju)(ju)，所得數據(ju)(ju)應乘以10才為(wei)實(shi)際(ji)測(ce)量值。

5、時間窗：

（1）窗寬(kuan)：可調(diao)范(fan)圍15°-175°；

（2）窗(chuang)位置：每一窗(chuang)可(ke)旋(xuan)轉0°- 180°；

（3）兩個時間窗可分別(bie)開(kai)或同時開(kai)。

6、放(fang)電(dian)量表(biao)：

0-100誤(wu)差<±3％（以滿度計）。

7、橢圓時基：

（1）頻(pin)率(lv)：50HZ、或外部(bu)電源同步(bu)（任意頻(pin)率(lv)）

（2）橢圓旋轉：以30°為一檔，可作360°旋轉。

（3）顯示方式(shi)：橢圓—直線(xian)。

8、試驗電(dian)壓(ya)表：

精度：優于±3％（以滿度計）。

9、體積： 320×480×190（寬×深×高）mm³。

10、重量：約15Kg。

三、系統工作原理(li)：

本機的局部(bu)放電測試原理是(shi)高頻(pin)脈沖電流測量法（ERA法）。

試品Ca在試驗電(dian)壓下產生(sheng)局(ju)部放(fang)(fang)(fang)電(dian)時，放(fang)(fang)(fang)電(dian)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)信號經藕合(he)電(dian)容Ca送入輸入單(dan)元(yuan)(yuan)，由輸入單(dan)元(yuan)(yuan)拾取(qu)到脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)信號，經低噪聲前置放(fang)(fang)(fang)大(da)(da)器放(fang)(fang)(fang)大(da)(da)，濾波放(fang)(fang)(fang)大(da)(da)器選擇(ze)所需頻帶(dai)及(ji)主放(fang)(fang)(fang)大(da)(da)器放(fang)(fang)(fang)大(da)(da)（達到所需幅值與產生(sheng)零標志(zhi)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)）后(hou)，在示波屏(ping)的(de)橢圓(yuan)掃描(miao)基線(xian)上產生(sheng)可見的(de)放(fang)(fang)(fang)電(dian)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)，同時也送至脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)峰(feng)值表顯示其峰(feng)值。

時間窗單(dan)元控制試驗(yan)電壓(ya)每一周期內脈沖峰值的(de)工作時間，并在這段時間內將示波屏的(de)相應顯示區加亮，用它可以排除固定相位的(de)干擾(rao)。

試(shi)驗電壓表經電容分壓器產生試(shi)驗電壓過零(ling)標志訊號，在示(shi)波屏(ping)上顯示(shi)零(ling)標脈沖，橢圓時基(ji)上兩個零(ling)標脈沖，通(tong)過時間窗(chuang)的寬窄調節可(ke)確定試(shi)驗電壓的相位，試(shi)驗電壓大小由數(shu)字(zi)電壓表指示(shi)。

整個系(xi)統的(de)工作原(yuan)理可(ke)參看方框圖（圖一）。

四(si)、結構說(shuo)明

本儀器為標準機箱(xiang)結構(gou)，儀器分前(qian)面板(ban)及(ji)后面板(ban)兩部分，各調(diao)節(jie)元件的位置及(ji)位置和功能見下圖(tu)說明。

1、4：長按改變門窗的位置

2、3：長按改變門窗的(de)寬(kuan)度

5：時鐘設(she)置(zhi)按(an)鈕(niu)

6：按(an)9號(hao)鍵鎖定(ding)后再按(an)此(ci)鍵，即(ji)可打印試驗報(bao)告

7：分壓比設置(zhi)按鈕(niu)

8：門開關，重復(fu)按(an)可選擇左右門

9：波形鎖定按(an)鍵

10：橢圓旋轉(zhuan)按鈕(niu)

11：顯示方(fang)式按鈕(niu)

12：取消按鈕

A、B、C通道選(xuan)擇旋鈕與后面板A、B、C測量通道相對應

備注： 如需數據(ju)導出，步(bu)驟如下：

（1）在(zai)電腦上安(an)(an)裝好RS232通用串(chuan)口(kou)線驅動(dong)。（驅動(dong)盤里有安(an)(an)裝介紹）及(ji)局放試驗(yan)報告編輯器軟件。

（2）將串口(kou)線和(he)局放儀后面的數據接口(kou)連接好。   

（3）將需要保(bao)存的波(bo)形(xing)鎖定然后點擊(ji) 局放試驗報(bao)告(gao)編(bian)輯器

（4）點擊Start鍵生(sheng)成鎖定后(hou)的數據，然后(hou)點擊測試(shi)報(bao)告如下圖所(suo)示：

（5）點擊測試報(bao)告后則會出現局放試驗報(bao)告編輯器可以根據需要填寫(xie)上面的內容。

（6）填寫好表格后點(dian)擊生(sheng)成(cheng)報(bao)告數據(ju)會以Word文(wen)檔的(de)形式出現(xian)，再將(jiang)數據(ju)保存至電腦，如下圖所示：

第五章(zhang)  操作(zuo)說明

1、試驗準備：將(jiang)機器后面板(ban)的三個(ge)開(kai)關都置于(yu)“關”的狀(zhuang)態

（1）檢查試驗場地(di)(di)(di)的接(jie)(jie)地(di)(di)(di)情況，將本(ben)儀器(qi)后(hou)部(bu)的接(jie)(jie)地(di)(di)(di)螺栓用粗銅(tong)線（*好(hao)用編制銅(tong)帶）與(yu)試驗場地(di)(di)(di)的接(jie)(jie)地(di)(di)(di)妥善相接(jie)(jie)，輸入單元(yuan)的接(jie)(jie)地(di)(di)(di)短路片也(ye)要妥善接(jie)(jie)地(di)(di)(di)。

（2）根椐試品電(dian)(dian)容(rong)(rong)Ca，藕合電(dian)(dian)容(rong)(rong)Ck的(de)大小，選取合適序號的(de)輸入單元（表一），表一中調(diao)諧(xie)電(dian)(dian)容(rong)(rong)量(liang)是指(zhi)從輸入單元初級繞組(zu)兩端看到的(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong)（按(an)Cx和(he)Ck的(de)串聯(lian)值粗略(lve)估算）。

輸入(ru)(ru)單元應盡量靠(kao)近被測試品，輸入(ru)(ru)單元插座(zuo)經8米長電(dian)纜與后面板上輸入(ru)(ru)插座(zuo)相(xiang)接。

（3）試品(pin)接(jie)入(ru)輸(shu)入(ru)單元的(de)方法主要有以下幾種：

圖(tu)中：Ca——試品    Ck——藕(ou)合電容    Z——阻(zu)(zu)塞阻(zu)(zu)抗  R3、C3、R4、C4——橋式接法中平衡(heng)調節阻(zu)(zu)抗。

（4）在高壓端接上(shang)電(dian)(dian)壓表電(dian)(dian)阻或電(dian)(dian)容分(fen)壓器，其輸出(chu)經測量(liang)電(dian)(dian)纜接到后面板試驗(yan)電(dian)(dian)壓輸入插座(zuo)30。

（5）在未加(jia)試驗電壓的情(qing)況下，將JF-2006校(xiao)正(zheng)脈沖發生(sheng)器的輸出接(jie)試品兩端(duan)。

2、使用步驟

（1）開機準備：將(jiang)時(shi)基顯示方式(shi)置于(yu)“橢圓”。

（2）放電(dian)量的校(xiao)正：按圖接好線(xian)后，在未加(jia)試驗電(dian)壓之(zhi)前用LJF-2006校(xiao)正脈沖發生(sheng)器(qi)予以校(xiao)正。

注意：方波測量盒應盡量靠(kao)近試(shi)品的高壓端。紅端子引線接(jie)高壓端。

然后(hou)調節放(fang)大器(qi)增益(yi)調節，使該(gai)注入脈沖(chong)高(gao)(gao)度適當（示波屏上(shang)高(gao)(gao)度2cm以(yi)下），使數字表讀數值(zhi)與(yu)注入的(de)已知電(dian)量相符。調定后(hou)放(fang)大器(qi)細調旋鈕的(de)位置不(bu)能再改變，需保持與(yu)校正時相同。

校正完成后必須去(qu)掉校正方波(bo)發(fa)生器與試驗(yan)回路的(de)連接。

（3）測試操作：

第六(liu)章  抗干擾措施(shi)和局部(bu)放電圖譜簡(jian)介

對于局部(bu)放電實驗我們*怕的(de)就(jiu)是干擾(rao)，下面(mian)簡(jian)單介紹一下實驗中可能遇(yu)到的(de)干擾(rao)以及(ji)抗干擾(rao)的(de)方(fang)法：

測量的干擾分(fen)類

干擾(rao)有來自電網的和(he)來自空間的。按表現形式分(fen)又分(fen)為固定的和(he)移動的。主要的干擾(rao)源(yuan)有以(yi)下(xia)一些：

①懸浮電(dian)位物(wu)體放電(dian)，通過對(dui)地雜散電(dian)容(rong)耦合

②外部**電暈

③可控硅元件在鄰近運行(xing)

④繼電(dian)器，接觸器，輝(hui)光管等物品

⑤接觸**

⑥無(wu)線電(dian)干(gan)擾

⑦熒光(guang)燈干擾

⑧電(dian)動機干(gan)擾

⑨中高頻工(gong)業設(she)備

（二(er)）抗干擾方法

采用帶調壓(ya)器，隔離(li)變壓(ya)器和濾(lv)波器的控制電源

設置屏蔽室，可只(zhi)屏蔽試(shi)驗回(hui)路部分

可靠的單點(dian)接(jie)地，將(jiang)試驗回路系統設(she)計成單點(dian)接(jie)地結構，接(jie)地電(dian)阻要小，接(jie)地點(dian)要與一(yi)般試驗室的地網及電(dian)力(li)網中線分開。

采用高壓(ya)濾波器

用平衡法(fa)或(huo)橋式試驗電路

利(li)用時間窗，使固定相位干擾處于亮(liang)窗之(zhi)外

采用較(jiao)窄(zhai)頻(pin)帶(dai)，或用頻(pin)帶(dai)躲(duo)開干擾(rao)大(da)的頻(pin)率范圍(wei)

在高壓端(duan)加(jia)裝高壓屏蔽罩或半導體橡(xiang)膠帽(mao)以防電暈干(gan)擾

試驗電路遠離周圍物體(ti)，尤(you)其(qi)是懸浮的金屬固體(ti)！

（三）初做實驗者對(dui)波形(xing)辨認還是(shi)有(you)一定困(kun)難的，下(xia)面就簡單介紹一     放電類型和干擾的初步辯(bian)認：

1． 典(dian)型的(de)(de)內部(bu)氣泡放(fang)電的(de)(de)波形(xing)特點：(圖 5—01)

A．放電(dian)主要顯示在試驗電(dian)壓由零(ling)升到峰值的兩個橢圓(yuan)象(xiang)限(xian)內。

B．在起始電壓(ya)Ui時，放電通常發生在峰(feng)值附近，試驗電壓(ya)超過Ui時，放(fang)電(dian)向零相位延(yan)伸。

C．兩個相反半周上(shang)放(fang)電次數(shu)和(he)幅值大(da)(da)致相同（*大(da)(da)相差至3：1）。

D．放電波形(xing)可辯。

E．q與試驗(yan)電(dian)壓關系(xi)不大，但放電(dian)重復率n隨試驗電(dian)壓上升而(er)加大。

F．局部放電起始(shi)電壓(ya)Ui和(he)熄滅電壓Ue基本相等。

G．放電量q與時間(jian)關系不大(da)。

H．如果放電量隨試驗電壓(ya)上(shang)升而(er)增大，并(bing)且(qie)(qie)放電波形變得模糊不可(ke)分(fen)辨，則往往是(shi)介(jie)質(zhi)內含有多種(zhong)大小氣泡，或(huo)是(shi)介(jie)質(zhi)表面放電。如果除了(le)上(shang)述情況，而(er)且(qie)(qie)放電幅值隨加(jia)壓(ya)時間而(er)迅速增長（可(ke)達100倍或更(geng)多），則(ze)往(wang)(wang)往(wang)(wang)是(shi)絕(jue)緣(yuan)液體中的(de)氣泡放(fang)電，典型例子是(shi)油浸紙電容器的(de)放(fang)電。

2． 金(jin)屬(shu)與介(jie)質間氣(qi)泡的(de)放電(dian)波(bo)形特點：        &nbsp;      

正半(ban)(ban)周(zhou)有許多幅值小(xiao)的放(fang)電，負半(ban)(ban)周(zhou)有很(hen)少幅值大(da)的放(fang)電。幅值相差可達10﹕1，其他同上。

典型(xing)例(li)子：絕緣與(yu)導體粘附(fu)**的(de)聚乙烯(xi)電(dian)纜的(de)放電(dian)。q與(yu)試(shi)驗電(dian)壓關系不大(da)。（圖 5—02）

如果隨(sui)試驗(yan)電壓升高，放電幅值也增大，而且放電波(bo)形(xing)變得模糊，則往往是含有不同大小多個氣(qi)泡，或是外露的(de)金屬與介質表(biao)面之間出(chu)現的(de)表(biao)面放電。（圖 5—03）

（四）下面介紹(shao)一些主要視為干擾或非(fei)正常放電的(de)情況：

（1）懸浮電(dian)位(wei)物體放電(dian)波形特點：

在電(dian)壓(ya)峰值(zhi)前(qian)的正負半周(zhou)兩個(ge)象限里(li)出(chu)現幅值(zhi)。脈(mo)沖(chong)數和位置均相同(tong)，成對出(chu)現。放電(dian)可移動，但它(ta)們間的相互(hu)間隔(ge)不變，電(dian)壓(ya)升(sheng)高時(shi)，根數增(zeng)加，間隔(ge)縮小，但幅值(zhi)不變。有時(shi)電(dian)壓(ya)升(sheng)到一定值(zhi)時(shi)會消失，但降(jiang)至此(ci)值(zhi)又重(zhong)新(xin)出(chu)現。

原因：金屬(shu)間的(de)(de)間隙產生的(de)(de)放電，間隙可(ke)能是地面(mian)上兩個獨立(li)的(de)(de)金屬(shu)體間（通過雜(za)散電容(rong)耦合(he)）也可(ke)能在樣品內，例(li)如(ru)屏(ping)蔽(bi)松散。

（2）外(wai)部**電(dian)暈放電(dian)波形特點：

起始放電僅出現在試(shi)驗電壓的一個半周上，并對稱地分布在峰值兩(liang)側。試(shi)驗電壓升(sheng)高時，放電脈沖數急劇增加，但幅值不變，并向兩(liang)側伸展(zhan)。

原因：空氣中高壓**或邊緣放(fang)電(dian)。如果(guo)(guo)放(fang)電(dian)出(chu)現在(zai)負(fu)半周，表示**處于高壓，如果(guo)(guo)放(fang)電(dian)出(chu)現在(zai)正半周則(ze)**處于地(di)電(dian)位。

（3）液體(ti)介質(zhi)中的**電暈放電波形特(te)點：

放(fang)(fang)電出現在兩(liang)個半周上(shang)，對稱地分布在峰值(zhi)兩(liang)側。每一(yi)(yi)(yi)組(zu)放(fang)(fang)電均為等(deng)間隔，但一(yi)(yi)(yi)組(zu)幅(fu)(fu)(fu)值(zhi)較(jiao)大的放(fang)(fang)電先出現，隨(sui)試驗電壓升高而幅(fu)(fu)(fu)值(zhi)增大，不(bu)(bu)一(yi)(yi)(yi)定等(deng)幅(fu)(fu)(fu)值(zhi)；一(yi)(yi)(yi)組(zu)幅(fu)(fu)(fu)值(zhi)小(xiao)的放(fang)(fang)電幅(fu)(fu)(fu)值(zhi)相等(deng)，并且不(bu)(bu)隨(sui)電壓變化。

原因：絕(jue)緣(yuan)液體(ti)中**或邊緣(yuan)放(fang)(fang)電。如(ru)一組大的放(fang)(fang)電出(chu)現(xian)在正半(ban)(ban)周，則**處于高壓；如(ru)出(chu)現(xian)在負半(ban)(ban)周，則**地(di)電位(wei)。

（4）接觸(chu)**的(de)干(gan)擾圖(tu)形。

波(bo)形特點：對稱地分(fen)布(bu)在(zai)實(shi)驗(yan)電(dian)(dian)(dian)壓零點兩側(ce)，幅值大致不(bu)變，但在(zai)實(shi)驗(yan)電(dian)(dian)(dian)壓峰值附(fu)近下降為零。波(bo)形粗糙不(bu)清(qing)晰，低電(dian)(dian)(dian)壓下即出現。電(dian)(dian)(dian)壓升高時，幅值緩慢(man)增加，有時在(zai)電(dian)(dian)(dian)壓達(da)到一(yi)定值后會完全消失。

原因：實驗回路中(zhong)金屬與金屬**接(jie)(jie)觸的(de)連接(jie)(jie)點(dian)；塑料(liao)電纜(lan)屏蔽層半(ban)導體粒子的(de)**接(jie)(jie)觸；電容器(qi)鋁箔的(de)插接(jie)(jie)片等（可將電(dian)(dian)容器充電(dian)(dian)然(ran)后短路來(lai)消除）。       ;   &nbsp;    

（5）可(ke)控(kong)硅元(yuan)件(jian)的干擾圖(tu)形。

波形特點：位置固定，每只元(yuan)件產(chan)生(sheng)一(yi)個獨立訊號。電路接通，電磁耦(ou)合效應(ying)增強時訊號幅值增加，試驗調壓時，該脈沖訊號會發(fa)生(sheng)高頻波形展寬，從而占位增加。

原因：鄰近有可控硅元件在運行。

（6）繼電(dian)器(qi)、接(jie)觸(chu)器(qi)、輝光(guang)管等動作(zuo)的干擾。

波形(xing)特點：分布不規則或(huo)間斷(duan)出現，同試驗電壓無(wu)關。

原因：熱繼(ji)電器、接(jie)觸器和各種火花試驗器及有火花放電的記錄器動作時產生。

（7）熒光燈的干擾圖形。

波(bo)形特(te)點(dian)：欄柵狀(zhuang)，幅值(zhi)大致相同的脈沖，伴有正負半(ban)波(bo)對稱出現的兩簇脈沖組。

原因：熒(ying)光(guang)燈(deng)照明      ;                                           ;                                    

（8）無線電干擾的干擾圖形(xing)。

波形(xing)特點：幅值(zhi)有調制(zhi)的高頻正弦波，同試(shi)驗電壓無關(guan)。

原(yuan)因：無線電話(hua)(hua)、廣播話(hua)(hua)筒(tong)、載波(bo)通訊等。

（9）電動機干擾(rao)的干擾(rao)圖(tu)形（圖(tu)5—12）

波形(xing)特點：放電波形(xing)沿橢(tuo)圓基線(xian)均(jun)勻分布，每個(ge)單個(ge)訊號呈(cheng)“山”字形(xing)。

原因：帶換向器的(de)電(dian)(dian)動機，如電(dian)(dian)扇、電(dian)(dian)吹風運轉(zhuan)時(shi)的(de)干擾(rao)。

（10）中高頻工業設備的干(gan)擾圖(tu)形。

波(bo)形特點：連續發生(sheng)，僅出現在電(dian)源波(bo)形的半周內。

原因(yin)：感應(ying)加熱裝置和(he)頻率(lv)接近檢測頻率(lv)的超聲(sheng)波(bo)發(fa)生(sheng)器等。

（11）鐵芯磁飽和諧波的干擾圖形(xing)（圖5—14）

波形特(te)點：較(jiao)低頻率的諧波振蕩，出現(xian)在兩(liang)個半周上(shang)，幅值(zhi)隨試驗(yan)電(dian)壓升高而(er)增大(da)，不加電(dian)壓時消(xiao)失，有重現(xian)性。

原因：試驗(yan)系統各種鐵芯(xin)設(she)備(bei)（試驗(yan)變壓器、濾(lv)波(bo)電抗器、隔離變壓器等）磁飽和(he)產生的(de)諧振。              &nbsp;                  

（12）電極在(zai)電場(chang)方(fang)向機(ji)械移動(dong)的干擾圖形。

波形特點：僅在試驗電壓(ya)的半周（正或負）上出現的與峰(feng)值對稱的兩(liang)個(ge)放電響(xiang)應，幅值相等，而脈(mo)沖方向相反，起始電壓(ya)時(shi)(shi)兩(liang)個(ge)脈(mo)沖在峰(feng)值處靠得很(hen)近，電壓(ya)升高時(shi)(shi)逐漸分開(kai)，并可能產生新的脈(mo)沖訊號對。

原因：電(dian)極(ji)(ji)的部分（尤其是(shi)金屬(shu)箔電(dian)極(ji)(ji)）在電(dian)場作(zuo)用下(xia)運動。                          

（14）漏電(dian)痕跡和樹枝放電(dian)

波(bo)形特點：放電訊號(hao)波(bo)形與(yu)一(yi)般典型圖(tu)象均不符合(he)，波(bo)形不規則(ze)不確(que)定。

原因(yin)：玷污了的絕(jue)緣上漏電或絕(jue)緣局部過熱而致的碳化痕跡或樹枝通道。

在放電(dian)測(ce)試(shi)(shi)中必(bi)須保證(zheng)測(ce)試(shi)(shi)回路中其它元件（試(shi)(shi)驗(yan)變壓器、阻塞線圈、耦(ou)合電(dian)容器、電(dian)壓表電(dian)阻等）均(jun)不放電(dian)，常用(yong)的辦法是用(yong)與試(shi)(shi)品電(dian)容數量級相同的無放電(dian)電(dian)容或(huo)絕緣結構取代(dai)試(shi)(shi)品試(shi)(shi)驗(yan)，看看有無放電(dian)。

了解了各種放(fang)電(dian)(dian)類型(xing)的波形特(te)征(zheng)，來源以及識別干擾(rao)后(hou)就可按具(ju)體情況采(cai)取措施排(pai)除干擾(rao)和正(zheng)確地進行放(fang)電(dian)(dian)測量了。

第七章     局部放電測試當中應該注意的(de)問題

實驗前，試品(pin)的絕緣(yuan)表面(mian)（尤(you)其是高壓端）應作(zuo)清潔(jie)化處理(li)

2、   各連接(jie)點(dian)應接(jie)觸良好(hao)，尤其是高壓端不要留(liu)下尖銳的接(jie)點(dian)，高壓導線應盡(jin)可(ke)能粗以防電暈，可(ke)用蛇(she)皮管。

輸(shu)入單(dan)元要(yao)盡量靠近試(shi)品，而且接(jie)地要(yao)可靠，接(jie)地線*好(hao)用

編織(zhi)銅帶。主(zhu)機也須(xu)接地，以保證**。

試(shi)驗回路盡可能緊湊。即高壓連線盡可能短，試(shi)驗回路所圍面 

積盡可能小。

在進行(xing)110KV及以上等級的(de)(de)局放試(shi)驗時，試(shi)品周(zhou)圍的(de)(de)懸(xuan)浮金屬

物(wu)體(ti)應妥善接地。

考慮到油浸式(shi)試(shi)(shi)品局部放電存(cun)在(zai)滯后效應，因此在(zai)局放試(shi)(shi)驗前(qian)

幾小時，不要對試(shi)品施加(jia)超過局部放電(dian)試(shi)驗電(dian)壓(ya)的高電(dian)壓(ya)。

第八(ba)章(zhang)  附件

1、專(zhuan)用測量電纜線6米      &nbsp;  2根(gen)

2、電源線(xian)                     1根

3、1.0A保險(xian)絲       &nbsp;         4根(gen)

4、使用說明書       &nbsp;     &nbsp;   1份

- WBJF-2020校正脈沖(chong)發生器使用說明

用途與適用范圍：

WBJF-2020校正脈沖發生器是一個小型的(de)廉價的(de)電(dian)(dian)池供電(dian)(dian)的(de)局部放電(dian)(dian)校正器，它適(shi)用(yong)于需要攜帶和(he)使用(yong)靈活的(de)場合。

主(zhu)要規格(ge)及技術參數：

輸出電荷量：5PC  50PC  100PC  500PC

上升時間(jian)：<100ns

衰減時間：>100us

極(ji)性(xing)：正(zheng)、負(fu)極(ji)性(xing)

重復頻(pin)率：1KHz

頻率變化(hua)：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重量：0.5Kg

電池：6F22  9V

操作(zuo)(zuo)與(yu)作(zuo)(zuo)用：

首先打開WBJF-2020校(xiao)(xiao)正(zheng)脈沖發(fa)生(sheng)器后蓋板，裝入電(dian)池，蓋好蓋板。將(jiang)輸出(chu)紅黑兩個端子接上(shang)(shang)導(dao)線，紅端子上(shang)(shang)的導(dao)線盡(jin)量(liang)且靠(kao)近試品的高(gao)壓端，黑端導(dao)線接試品和低(di)壓端，將(jiang)校(xiao)(xiao)正(zheng)電(dian)量(liang)開關置于(yu)合適的位置，即可校(xiao)(xiao)正(zheng)，頻(pin)率可在1KHz附近調節(jie)，面板上電壓表指(zhi)示機內電源的情況，一般指(zhi)示8V以上(shang)才能保(bao)證工作，低于(yu)8V則(ze)需調換電池(chi)。

校正后切記(ji)將校正脈(mo)沖發生器取(qu)下！

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